发明(设计)人:
金炫哲
金容锡
徐亨源
柳成原
李炅奂
洪载昊
共 50 条
[1]
垂直可变电阻存储器件
[P].
中国专利 :CN113299826A ,2021-08-24 [2]
可变电阻存储器件
[P].
朴日穆
论文数: 0 引用数: 0
h-index: 0
机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
朴日穆
;
白光铉
论文数: 0 引用数: 0
h-index: 0
机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
白光铉
;
宋苏智
论文数: 0 引用数: 0
h-index: 0
机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
宋苏智
.
韩国专利 :CN110858621B ,2024-07-12 [3]
可变电阻存储器件
[P].
中国专利 :CN113903765A ,2022-01-07 [4]
可变电阻存储器件
[P].
中国专利 :CN103855304B ,2014-06-11 [5]
可变电阻存储器件
[P].
中国专利 :CN107123734B ,2017-09-01 [6]
可变电阻存储器件
[P].
中国专利 :CN107665947B ,2018-02-06 [7]
可变电阻存储器件
[P].
中国专利 :CN110993637A ,2020-04-10 [8]
可变电阻存储器件
[P].
中国专利 :CN103915564A ,2014-07-09 [9]
可变电阻存储器件
[P].
中国专利 :CN110867463A ,2020-03-06 [10]
可变电阻存储器件
[P].
中国专利 :CN111009607A ,2020-04-14