可变电阻存储器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310221335.1

申请日：

2013-06-05

公开(公告)号：

CN103872067B

公开(公告)日：

2014-06-18

发明(设计)人：

朴南均

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L2724

IPC分类号：

H01L4500

代理机构：

北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363

代理人：

许伟群;俞波

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-06-18	公开	公开
2018-06-15	授权	授权
2015-11-04	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101631725385 IPC(主分类):H01L 27/24 专利申请号:2013102213351 申请日:20130605

共 50 条

[1]

可变电阻存储器件及其制造方法 [P].

李宰渊 ;

宋锡杓 ;

李承桓 .

中国专利 :CN103325806A ,2013-09-25

[2]

可变电阻存储器件及其制造方法 [P].

郑夏彰 ;

李恩侠 .

中国专利 :CN104241525A ,2014-12-24

[3]

可变电阻存储器件及其制造方法 [P].

金玟锡 ;

尹孝燮 .

中国专利 :CN104241524A ,2014-12-24

[4]

可变电阻存储器件及其制造方法 [P].

宋锡杓 ;

郑星雄 ;

郑璲钰 ;

金东准 .

中国专利 :CN103187526A ,2013-07-03

[5]

三维可变电阻存储器件及其制造方法 [P].

朴南均 .

中国专利 :CN104103754A ,2014-10-15

[6]

可变电阻存储器件和制造可变电阻存储器件的方法 [P].

朴正熙 ;

朴志镐 ;

朴昌叶 ;

安东浩 .

中国专利 :CN110875428A ,2020-03-10

[7]

可变电阻存储器件 [P].

吴哲 ;

朴淳五 ;

朴正熙 ;

安东浩 ;

堀井秀树 .

中国专利 :CN107123734B ,2017-09-01

[8]

可变电阻存储器件及其制造方法 [P].

韩在贤 .

中国专利 :CN114256413A ,2022-03-29

[9]

可变电阻存储器件及其制造方法 [P].

李相昑 ;

李宰渊 ;

孙东熙 .

中国专利 :CN103378290A ,2013-10-30

[10]

可变电阻存储器件及其制造方法 [P].

金秉柱 ;

高永珉 ;

金钟旭 ;

朴洸珉 ;

朴正熙 ;

崔铜成 .

韩国专利 :CN110858623B ,2024-02-02

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