一种等离子体太赫兹波导生成装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911010801.5

申请日：

2019-10-23

公开(公告)号：

CN110809356A

公开(公告)日：

2020-02-18

发明(设计)人：

吴淑群杨璐陈玉秀顾亚楠张潮海

申请人：

申请人地址：

211106 江苏省南京市江宁区将军大道29号

IPC主分类号：

H05H148

IPC分类号：

H01P1100 H01P316 G02B613 G02B6122

代理机构：

南京经纬专利商标代理有限公司 32200

代理人：

施昊

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-01-15	授权	授权
2020-02-18	公开	公开
2020-03-13	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H05H 1/48 申请日:20191023

共 50 条

[1]

磁表面等离子体波导太赫兹隔离器 [P].

范飞 ;

常胜江 .

中国专利 :CN102916238A ,2013-02-06

[2]

太赫兹表面等离子体共振传感装置 [P].

钟舜聪 ;

黄异 ;

林起本 .

中国专利 :CN207114429U ,2018-03-16

[3]

等离子体生成装置 [P].

高桥直贵 ;

上山浩幸 ;

能势功一 .

中国专利 :CN108781500A ,2018-11-09

[4]

等离子体生成装置 [P].

高村禅 ;

饭塚亚纪子 ;

民谷荣一 .

中国专利 :CN100567964C ,2007-04-04

[5]

等离子体生成装置 [P].

高桥直树 .

中国专利 :CN115039516A ,2022-09-09

[6]

等离子体生成装置 [P].

坂口义弘 ;

今井伸一 .

中国专利 :CN106255305A ,2016-12-21

[7]

等离子体生成装置 [P].

竹田刚 .

日本专利 :CN118315255A ,2024-07-09

[8]

等离子体生成装置 [P].

山田庆太郎 ;

高土与明 ;

伊达和治 ;

堀川幸司 .

中国专利 :CN108781497A ,2018-11-09

[9]

等离子体生成装置 [P].

糸村大辅 ;

寺亮之介 ;

广川保明 ;

永谷勇人 .

中国专利 :CN102469676A ,2012-05-23

[10]

等离子体生成装置 [P].

高桥直树 .

日本专利 :CN115039516B ,2024-01-02

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