SONOS器件的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711168493.X

申请日：

2017-11-21

公开(公告)号：

CN107958908A

公开(公告)日：

2018-04-24

发明(设计)人：

丁航晨张强黄冠群

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号

IPC主分类号：

H01L2711563

IPC分类号：

H01L2711568

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

智云

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-04-10	授权	授权
2018-04-24	公开	公开
2018-05-18	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/11563 申请日:20171121

共 50 条

[1]

SONOS器件的形成方法 [P].

齐瑞生 .

中国专利 :CN110098125A ,2019-08-06

[2]

SONOS器件的栅极结构的制造方法及SONOS器件 [P].

姜兰 .

中国专利 :CN119208145A ,2024-12-27

[3]

VDMOS器件的形成方法 [P].

楼颖颖 ;

克里丝 .

中国专利 :CN102148164A ,2011-08-10

[4]

SONOS器件的制造方法 [P].

单园园 ;

郭振强 ;

陈瑜 ;

胡君 .

中国专利 :CN109950249A ,2019-06-28

[5]

SONOS器件的制造方法及SONOS器件 [P].

李小康 ;

李士普 ;

钱俊 .

中国专利 :CN118382300A ,2024-07-23

[6]

改善SONOS器件失效的方法 [P].

曹俊 ;

吴兵 ;

陆涵蔚 .

中国专利 :CN115083898A ,2022-09-20

[7]

具有多级存储层和介质层的SONOS器件及其形成方法 [P].

张雄 .

中国专利 :CN102709292A ,2012-10-03

[8]

SONOS结构及其形成方法 [P].

陈德艳 ;

郑大燮 .

中国专利 :CN102087964A ,2011-06-08

[9]

射频器件的形成方法 [P].

刘张李 .

中国专利 :CN111341663A ,2020-06-26

[10]

MOSFET器件的形成方法 [P].

王鹏鹏 ;

林仲强 ;

袁海江 ;

杨勇胜 .

中国专利 :CN118553619A ,2024-08-27

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