一种高孔隙率氧化铝多孔陶瓷的制备方法

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专利类型
发明
申请号
CN200810153547.X
申请日
2008-11-27
公开(公告)号
CN101734909B
公开(公告)日
2010-06-16
发明(设计)人
梁小平 王光辉 李建新 陆青 樊小伟 王荣涛
申请人
申请人地址
300160 天津市河东区程林庄路63号
IPC主分类号
C04B3510
IPC分类号
C04B3800 C04B35622
代理机构
代理人
法律状态
专利权的终止
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共 50 条
[1]
一种高孔隙率氧化铝多孔陶瓷的制备方法 [P]. 
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[2]
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[3]
高孔隙率多孔陶瓷的制备方法 [P]. 
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[4]
一种氧化铝多孔陶瓷的制备方法 [P]. 
占克文 ;
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[5]
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[6]
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[7]
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[8]
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[9]
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[10]
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