一种枝状SiC晶须的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010017744.X

申请日：

2020-01-08

公开(公告)号：

CN111235636B

公开(公告)日：

2020-06-05

发明(设计)人：

王志江

申请人：

申请人地址：

150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区邮政街副434号哈工大科技园大厦十层1009房间

IPC主分类号：

C30B2936

IPC分类号：

C30B2962 C30B110 C23C1836 C23C1852 C23C1818

代理机构：

哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109

代理人：

岳泉清

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-04	授权	授权
2020-06-05	公开	公开
2020-06-30	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/36 申请日:20200108
2021-12-03	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):C30B 29/36 登记生效日:20211123 变更事项:专利权人变更前权利人:黑龙江冠瓷科技有限公司变更后权利人:哈尔滨工业大学变更事项:地址变更前权利人:150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区邮政街副434号哈工大科技园大厦十层1009房间变更后权利人:150001 黑龙江省哈尔滨市西大直街92号

共 50 条

[1]

一种SiC晶须的制备方法 [P].

崔曦文 ;

柏杉 ;

洪艳萍 ;

闵庆峰 ;

蒋明学 .

中国专利 :CN102978706A ,2013-03-20

[2]

一种SiC晶须的制备方法 [P].

陈旸 ;

乔宁 ;

郑占申 ;

李欣 ;

米越姗 .

中国专利 :CN109652857B ,2019-04-19

[3]

一种SiC晶须的制备方法 [P].

张锐 ;

范冰冰 ;

邵刚 ;

郭晓琴 ;

解亚军 ;

宋勃震 ;

管可可 ;

吴昊 ;

张亮 .

中国专利 :CN104328478A ,2015-02-04

[4]

一种利用界面反应制备SiC晶须的方法及SiC晶须 [P].

张锐 ;

赵彪 ;

樊磊 ;

张瑜萍 ;

范冰冰 ;

高前程 ;

白中义 ;

陈雷明 ;

李春光 ;

郭晓琴 .

中国专利 :CN110387583A ,2019-10-29

[5]

一种采用煤泥制备SiC晶须的方法 [P].

梁利东 ;

白建光 ;

黄瑞 ;

何天颖 ;

王润星 ;

黄传卿 ;

柴德亮 .

中国专利 :CN113307611A ,2021-08-27

[6]

一种低温高效制备SiC晶须的方法 [P].

田学坤 ;

刘新红 ;

刘旭升 ;

刘金华 ;

尹天培 ;

闫东红 .

中国专利 :CN120519958A ,2025-08-22

[7]

一种SiC晶须的快速制备方法及制备装置 [P].

陈建军 ;

殷天乐 .

中国专利 :CN121137770A ,2025-12-16

[8]

共沉淀与热蒸发技术原位合成锥状SiC晶须的制备方法 [P].

史小红 ;

闫宁宁 ;

杨莉 ;

李贺军 .

中国专利 :CN107059129B ,2017-08-18

[9]

一种超大尺寸SiC晶须及其制备方法和应用 [P].

宋勃震 ;

张锐 ;

高镜清 ;

宋礼猛 ;

程可强 ;

程凯毅 ;

王炳翔 .

中国专利 :CN119980471A ,2025-05-13

[10]

一种无催化剂制备SiC晶须和SiC空心纳米球复合材料的方法 [P].

张佳平 ;

侯佳琪 ;

付前刚 ;

孙树诚 ;

陈睿聪 .

中国专利 :CN120117608A ,2025-06-10

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