UV发光二极管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110491351.7

申请日：

2016-03-29

公开(公告)号：

CN113314649A

公开(公告)日：

2021-08-27

发明(设计)人：

朴起延许政勋韩釉大韩建宇

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道安山市

IPC主分类号：

H01L3312

IPC分类号：

H01L3304 H01L3306 H01L3322 H01L3332 H01L3338

代理机构：

北京铭硕知识产权代理有限公司 11286

代理人：

陈亚男;韩芳

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-08-27	公开	公开
2021-09-14	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/12 申请日:20160329

共 50 条

[1]

UV发光二极管 [P].

朴起延 ;

许政勋 ;

韩釉大 ;

韩建宇 .

中国专利 :CN107408602B ,2017-11-28

[2]

UV发光二极管 [P].

朴起延 ;

许政勋 ;

韩釉大 ;

韩建宇 .

韩国专利 :CN113314649B ,2024-09-10

[3]

发光二极管和形成发光二极管的方法 [P].

A·皮诺斯 ;

S·阿什顿 ;

S·梅佐阿里 .

中国专利 :CN114375500A ,2022-04-19

[4]

发光二极管和形成发光二极管的方法 [P].

A·皮诺斯 ;

S·阿什顿 ;

S·梅佐阿里 .

英国专利 :CN114375500B ,2025-10-17

[5]

发光二极管和发光二极管模块 [P].

蔡钟炫 ;

卢元英 ;

李俊燮 ;

姜珉佑 ;

张锺敏 ;

金贤儿 ;

裴善敏 ;

徐大雄 .

中国专利 :CN204167351U ,2015-02-18

[6]

发光二极管及发光二极管封装 [P].

朴德炫 ;

文盛煜 ;

朴相绿 ;

郑炳学 .

中国专利 :CN107851688B ,2018-03-27

[7]

发光二极管和包括发光二极管的发光二极管阵列 [P].

李建和 ;

崔炳均 .

中国专利 :CN107112394A ,2017-08-29

[8]

发光二极管、发光二极管模块和制造发光二极管的方法 [P].

蔡钟炫 ;

卢元英 ;

李俊燮 ;

姜珉佑 ;

张锺敏 ;

金贤儿 ;

裴善敏 ;

徐大雄 .

中国专利 :CN104465942A ,2015-03-25

[9]

发光二极管阵列 [P].

王涛 .

中国专利 :CN114424350A ,2022-04-29

[10]

紫外发光二极管 [P].

朴起延 ;

许政勋 ;

金华睦 ;

韩昌锡 ;

崔孝植 .

中国专利 :CN204243075U ,2015-04-01

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