半导体封装及其形成方法

被引:0
申请号
CN202111341829.4
申请日
2021-11-12
公开(公告)号
CN114497025A
公开(公告)日
2022-05-13
发明(设计)人
蔡宜霖 刘乃玮 许文松
申请人
申请人地址
中国台湾新竹科学园区新竹市笃行一路1号
IPC主分类号
H01L2518
IPC分类号
H01L2156 H01L21768 H01L2331 H01L2348 H01L23488 H01L2160
代理机构
深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280
代理人
何倚雯
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体封装结构及其形成方法 [P]. 
许健 ;
艾迪·凯佑·维嘉雅 ;
普佳·瑞凡卓·戴许曼 ;
莫尼卡·巴提 .
中国专利 :CN110828320B ,2020-02-21
[2]
半导体封装及其形成方法 [P]. 
张家纶 ;
谢静华 ;
蔡仲豪 ;
刘重希 ;
王垂堂 ;
林修任 .
中国专利 :CN113053835A ,2021-06-29
[3]
半导体封装及其形成方法 [P]. 
郭宏瑞 ;
蔡惠榕 ;
汪嘉伟 ;
张育慈 .
中国专利 :CN114823359A ,2022-07-29
[4]
半导体封装件及其形成方法 [P]. 
余振华 ;
叶德强 ;
普翰屏 .
中国专利 :CN108630676A ,2018-10-09
[5]
半导体封装结构及其形成方法 [P]. 
刘士玮 ;
江幸达 ;
吴存晏 ;
言玮 .
中国专利 :CN119965166A ,2025-05-09
[6]
半导体封装结构及其形成方法 [P]. 
周智超 ;
庄正吉 ;
邱奕勋 ;
张尚文 ;
蔡庆威 .
中国专利 :CN120376508A ,2025-07-25
[7]
半导体封装结构及其形成方法 [P]. 
陈建宏 .
中国专利 :CN119110597A ,2024-12-10
[8]
半导体封装件及其形成方法 [P]. 
蔡仲豪 ;
林佳加 ;
吴凯强 ;
王垂堂 ;
余振华 .
中国专利 :CN110299351B ,2019-10-01
[9]
半导体封装件及其形成方法 [P]. 
陈洁 ;
陈英儒 ;
陈宪伟 .
中国专利 :CN109786266B ,2019-05-21
[10]
半导体封装件及其形成方法 [P]. 
余振华 ;
刘重希 ;
林志伟 ;
郑明达 .
中国专利 :CN105679741A ,2016-06-15