LiGaGe2O6作为高品质因数温度稳定型微波介电陶瓷的应用

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201610485059.3
申请日
2016-06-26
公开(公告)号
CN106145899A
公开(公告)日
2016-11-23
发明(设计)人
方亮 段炼 苏和平
申请人
申请人地址
541004 广西壮族自治区桂林市建干路12号
IPC主分类号
C04B3501
IPC分类号
C04B35622 C04B35634
代理机构
代理人
法律状态
发明专利申请公布后的驳回
国省代码
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共 50 条
[1]
LiInGe2O6作为高品质因数温度稳定型微波介电陶瓷的应用 [P]. 
方亮 ;
段炼 ;
苏和平 .
中国专利 :CN106116529A ,2016-11-16
[2]
高品质因数温度稳定型微波介电陶瓷LiGaGe3O8 [P]. 
唐莹 ;
段炼 ;
苏和平 .
中国专利 :CN106116525A ,2016-11-16
[3]
高品质因数温度稳定型微波介电陶瓷LiFeGe2O6 [P]. 
方维双 ;
段炼 ;
苏和平 .
中国专利 :CN106007674A ,2016-10-12
[4]
高品质因数温度稳定型微波介电陶瓷Li2BaGe2O6 [P]. 
方维双 ;
段炼 ;
苏和平 .
中国专利 :CN106278190A ,2017-01-04
[5]
高品质因数温度稳定型微波介电陶瓷LiAlGe3O8 [P]. 
唐莹 ;
段炼 ;
苏和平 .
中国专利 :CN106116530A ,2016-11-16
[6]
高品质因数温度稳定型微波介电陶瓷LiInGe3O8 [P]. 
唐莹 ;
段炼 ;
苏和平 .
中国专利 :CN106116524A ,2016-11-16
[7]
高品质因数温度稳定型微波介电陶瓷Li2MgGe2O6 [P]. 
陈军奇 ;
段炼 ;
李纯纯 .
中国专利 :CN106187102A ,2016-12-07
[8]
高品质因数温度稳定型微波介电陶瓷Li2ZnGe2O6 [P]. 
方亮 ;
段炼 ;
苏和平 .
中国专利 :CN106242528A ,2016-12-21
[9]
高品质因数温度稳定型微波介电陶瓷Li2ZnGe2O6及其制备方法 [P]. 
方维双 ;
程柳 ;
苏和平 .
中国专利 :CN105294075A ,2016-02-03
[10]
Li2MgSn2O6作为高品质因数温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷的应用 [P]. 
方维双 ;
段炼 ;
苏和平 .
中国专利 :CN106187159A ,2016-12-07