锑化铟晶体生长方法及晶体生长炉

被引：0

申请号：

CN202111656465.9

申请日：

2021-12-30

公开(公告)号：

CN114318510A

公开(公告)日：

2022-04-12

发明(设计)人：

程鹏程波陈元瑞

申请人：

申请人地址：

214000 江苏省无锡市新吴区长江南路35-322号

IPC主分类号：

C30B1520

IPC分类号：

C30B2940 C30B2810 C30B3302

代理机构：

无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260

代理人：

郭慧

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-04-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 15/20 申请日:20211230
2022-04-12	公开	公开

共 50 条

[1]

锑化铟晶体生长方法 [P].

狄聚青 ;

李镇宏 .

中国专利 :CN118880458A ,2024-11-01

[2]

锑化铟晶体生长设备及生长方法 [P].

狄聚青 ;

肖溢 ;

李镇宏 .

中国专利 :CN119685921A ,2025-03-25

[3]

晶体生长装置及晶体生长方法 [P].

堀冈佑吉 .

中国专利 :CN102187018A ,2011-09-14

[4]

晶体生长容器及晶体生长方法 [P].

羽木良明 ;

加藤重人 .

中国专利 :CN1284573A ,2001-02-21

[5]

晶体生长装置及晶体生长方法 [P].

狄聚青 ;

朱刘 ;

赵青松 ;

牛晓东 ;

顾小英 ;

胡智向 .

中国专利 :CN112725890A ,2021-04-30

[6]

晶体生长设备及晶体生长方法 [P].

J·A·贝斯维克 .

中国专利 :CN1309728A ,2001-08-22

[7]

晶体生长方法及晶体生长装置 [P].

郑燕青 ;

齐凡 ;

孔舒燕 ;

陈志平 ;

赵衡煜 .

中国专利 :CN119121382B ,2025-11-14

[8]

晶体生长设备及晶体生长方法 [P].

余剑云 .

中国专利 :CN119571468A ,2025-03-07

[9]

晶体生长装置及晶体生长方法 [P].

藤川阳平 .

中国专利 :CN112746315A ,2021-05-04

[10]

晶体生长方法及晶体生长装置 [P].

郑燕青 ;

齐凡 ;

孔舒燕 ;

陈志平 ;

赵衡煜 .

中国专利 :CN119121382A ,2024-12-13

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