一种降低氢终端金刚石欧姆接触电阻的方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201910590637.3
申请日
2019-07-02
公开(公告)号
CN110323132A
公开(公告)日
2019-10-11
发明(设计)人
李成明 原晓芦 郑宇亭 黄亚博 刘金龙 魏俊俊 陈良贤
申请人
申请人地址
100083 北京市海淀区学院路30号
IPC主分类号
H01L2128
IPC分类号
H01L21268 H01L2945
代理机构
北京市广友专利事务所有限责任公司 11237
代理人
张仲波
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
一种降低氢终端金刚石欧姆接触电阻的方法 [P]. 
李成明 ;
原晓芦 ;
郑宇亭 ;
黄亚博 ;
刘金龙 ;
魏俊俊 ;
陈良贤 .
中国专利 :CN110323132B ,2024-02-13
[2]
一种测量高阻金刚石欧姆接触比接触电阻的方法 [P]. 
刘康 ;
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[3]
一种氢终端金刚石隧穿欧姆接触电阻的制备方法 [P]. 
任泽阳 ;
张金风 ;
李佳颖 ;
谷露云 ;
丁森川 ;
苏凯 ;
何琦 ;
张进成 ;
郝跃 .
中国专利 :CN113725076A ,2021-11-30
[4]
一种氢终端金刚石隧穿欧姆接触电阻的制备方法 [P]. 
任泽阳 ;
张金风 ;
李佳颖 ;
谷露云 ;
丁森川 ;
苏凯 ;
何琦 ;
张进成 ;
郝跃 .
中国专利 :CN113725076B ,2024-06-25
[5]
一种氮掺杂的氢终端金刚石及其制备方法 [P]. 
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[6]
氢钝化硅终端欧姆接触电极的金刚石核探测器及制备方法 [P]. 
苏凯 ;
王唯 ;
张金风 ;
何琦 ;
任泽阳 ;
张进成 ;
郝跃 .
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[7]
一种金刚石基欧姆接触结构 [P]. 
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[8]
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张少鹏 ;
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常成东 .
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[9]
一种金刚石高温欧姆接触电极及其制备方法 [P]. 
东芳 ;
蒋顺勇 ;
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侯冬杨 ;
汪启军 ;
吕婷 ;
张栋梁 ;
肖艾迪 ;
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[10]
一种MPCVD法生产单晶金刚石的方法 [P]. 
郑逢达 ;
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中国专利 :CN114836829A ,2022-08-02