晶体硅太阳电池正面电极印刷方法

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专利类型
发明
申请号
CN201610631681.0
申请日
2016-08-04
公开(公告)号
CN106024996A
公开(公告)日
2016-10-12
发明(设计)人
刘伟 陈筑 刘晓巍
申请人
申请人地址
315177 浙江省宁波市鄞州区望春工业园区杉杉路181号
IPC主分类号
H01L3118
IPC分类号
H01L310224 B41F1536
代理机构
宁波市鄞州甬致专利代理事务所(普通合伙) 33228
代理人
潘李亮
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
晶体硅太阳电池的正面电极结构 [P]. 
章灵军 ;
王栩生 ;
王立建 .
中国专利 :CN201796897U ,2011-04-13
[2]
一种分次印刷晶体硅太阳电池正面电极 [P]. 
王岚 ;
吴俊旻 ;
张冠纶 ;
尹丙伟 .
中国专利 :CN208077990U ,2018-11-09
[3]
用于印刷晶体硅太阳电池正面电极的网布结构 [P]. 
刘伟 ;
陈筑 ;
刘晓巍 .
中国专利 :CN205853590U ,2017-01-04
[4]
一种晶体硅太阳电池正面电极结构 [P]. 
贾河顺 ;
姜言森 ;
程亮 ;
任现坤 ;
张春艳 ;
孙继峰 ;
马继磊 ;
徐振华 ;
李钢 .
中国专利 :CN202871805U ,2013-04-10
[5]
一种晶体硅太阳电池正面电极 [P]. 
贾河顺 ;
姜言森 ;
任现坤 ;
徐振华 ;
马继磊 ;
张春艳 ;
方亮 .
中国专利 :CN203774341U ,2014-08-13
[6]
晶体硅太阳电池正面栅线电极 [P]. 
刘伟 ;
陈筑 ;
刘晓巍 ;
蔡二辉 ;
徐晓群 ;
孙励斌 .
中国专利 :CN202633327U ,2012-12-26
[7]
晶体硅太阳电池背电极 [P]. 
周之斌 ;
刘阳 ;
丁开顺 ;
汪甡杰 ;
方超 ;
马玉锋 ;
方健 ;
杨健 .
中国专利 :CN201966217U ,2011-09-07
[8]
晶体硅太阳电池的背面电极结构 [P]. 
章灵军 ;
王栩生 ;
王立建 .
中国专利 :CN201616438U ,2010-10-27
[9]
晶体硅太阳电池正面电极接触电阻测量装置 [P]. 
王雪松 ;
李嘉亮 ;
杨振英 ;
崇锋 ;
吕欣 .
中国专利 :CN204086398U ,2015-01-07
[10]
晶体硅太阳电池前电极 [P]. 
陈奕峰 ;
皮尔·威灵顿 ;
杨阳 ;
徐冠超 ;
张舒 .
中国专利 :CN103456803A ,2013-12-18