一种降低中高压化成箔漏电流的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810077946.6

申请日：

2018-01-26

公开(公告)号：

CN109859949B

公开(公告)日：

2019-06-07

发明(设计)人：

吴志能周政彭果戈杨远博谌庆春罗磊

申请人：

申请人地址：

523871 广东省东莞市长安镇上沙振安路368号

IPC主分类号：

H01G9055

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法律状态：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-03-26	授权	授权
2019-07-02	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01G 9/055 申请日:20180126
2019-06-07	公开	公开

共 50 条

[1]

降低中高压化成箔漏电流的化成方法 [P].

杨富国 ;

杨飞 ;

张玉红 .

中国专利 :CN107452518B ,2017-12-08

[2]

降低中高压化成箔漏电流的化成处理方法 [P].

严季新 ;

王建中 ;

朱鸿伟 ;

张校刚 .

中国专利 :CN103227053A ,2013-07-31

[3]

一种中高压化成箔及其化成方法 [P].

杨小兵 ;

费新金 .

中国专利 :CN109778282A ,2019-05-21

[4]

降低低压化成箔漏电流的化成处理方法 [P].

严季新 ;

王建中 ;

金志刚 .

中国专利 :CN102800483B ,2012-11-28

[5]

降低低压化成箔漏电流的化成方法 [P].

杨富国 ;

杨飞 ;

张玉红 .

中国专利 :CN107502937B ,2017-12-22

[6]

降低中高压化成箔幅宽收缩的化成处理方法 [P].

严季新 ;

王建中 ;

朱鸿伟 ;

张校刚 .

中国专利 :CN103258648A ,2013-08-21

[7]

一种降低化成箔漏电流的水合处理方法 [P].

谢文娟 ;

邓利松 ;

康英茜 ;

徐健 ;

肖远龙 .

中国专利 :CN112017865B ,2020-12-01

[8]

一种中高压化成箔的制造方法 [P].

何凤荣 .

中国专利 :CN101246779A ,2008-08-20

[9]

一种中高压化成箔的制造方法 [P].

严志强 ;

吕根品 .

中国专利 :CN102324323B ,2012-01-18

[10]

一种无箔灰中高压化成箔的生产方法 [P].

杨小飞 ;

彭游其 ;

陆宝琳 .

中国专利 :CN108376611A ,2018-08-07

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