单晶硅锭及其制造方法以及单晶硅晶片

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810360583.7

申请日：

2018-04-20

公开(公告)号：

CN110387578A

公开(公告)日：

2019-10-29

发明(设计)人：

原田和浩降屋久

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

C30B2906

IPC分类号：

C30B1520

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

张泽洲;刘林华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-12-24	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/06 申请日:20180420
2021-10-01	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C30B 29/06 申请公布日:20191029
2019-10-29	公开	公开

共 50 条

[1]

单晶硅制造方法以及单晶硅晶片 [P].

菅原孝世 ;

星亮二 .

中国专利 :CN110036143A ,2019-07-19

[2]

单晶硅晶片、单晶硅晶片的制造方法以及单晶硅晶片的评价方法 [P].

田原史夫 ;

大槻刚 ;

名古屋孝俊 ;

三谷清 .

中国专利 :CN102017069A ,2011-04-13

[3]

单晶硅的制造方法及单晶硅以及硅晶片 [P].

布施川泉 ;

大国祯之 ;

三田村伸晃 ;

太田友彦 ;

胜冈信生 .

中国专利 :CN1646736A ,2005-07-27

[4]

单晶硅锭的制造方法及单晶硅锭 [P].

宝来正隆 ;

杉村涉 ;

小野敏昭 ;

藤原俊幸 .

中国专利 :CN110536980B ,2019-12-03

[5]

单晶硅及其制造方法以及硅晶片 [P].

丰竹贵光 .

中国专利 :CN111615569A ,2020-09-01

[6]

单晶硅的制造方法、单晶硅及硅晶片 [P].

伊关崇志 ;

鸣嶋康人 .

日本专利 :CN114929950B ,2024-08-23

[7]

单晶硅的制造方法、单晶硅及硅晶片 [P].

伊关崇志 ;

鸣嶋康人 .

中国专利 :CN114929950A ,2022-08-19

[8]

单晶硅的制造方法、外延硅晶片、以及单晶硅基板 [P].

菅原孝世 ;

星亮二 .

中国专利 :CN110541191B ,2019-12-06

[9]

单晶硅晶片及单晶硅的制造方法 [P].

樱田昌弘 ;

小林武史 ;

森达生 ;

布施川泉 ;

太田友彦 .

中国专利 :CN1406292A ,2003-03-26

[10]

单晶硅锭及其制造方法 [P].

松原顺一 ;

三宅雄治 ;

金刚寺博 .

中国专利 :CN1047413C ,1996-11-27

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