用于高纯氯硅烷生产中去除含碳杂质的装置

被引:0
专利类型
实用新型
申请号
CN202020204804.4
申请日
2020-02-24
公开(公告)号
CN212315554U
公开(公告)日
2021-01-08
发明(设计)人
杨典 万烨 赵雄 孙强 王芳 付强 裴蕾 张征
申请人
申请人地址
471023 河南省洛阳市洛龙科技工业园牡丹大道西1号
IPC主分类号
C01B33107
IPC分类号
代理机构
北京康信知识产权代理有限责任公司 11240
代理人
梁文惠
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
用于高纯氯硅烷生产中去除含碳杂质的方法及装置 [P]. 
杨典 ;
万烨 ;
赵雄 ;
孙强 ;
王芳 ;
付强 ;
裴蕾 ;
张征 .
中国专利 :CN111115637A ,2020-05-08
[2]
一种去除高纯氯硅烷痕量杂质的装置和方法 [P]. 
黄海涛 ;
贾琳蔚 ;
杨强 ;
鲜洪 ;
王劭南 .
中国专利 :CN107235494A ,2017-10-10
[3]
一种氯硅烷碳杂质去除的系统 [P]. 
明勇 ;
黄勤 ;
彭杨 ;
王峰 ;
马科武 ;
李兵 ;
庹如刚 ;
晏涛 .
中国专利 :CN223069099U ,2025-07-08
[4]
一种吸附脱除甲基氯硅烷杂质制备高纯三氯氢硅的装置和方法 [P]. 
王红星 ;
陈锦溢 ;
华超 ;
刘洋 .
中国专利 :CN109205627A ,2019-01-15
[5]
一种氯硅烷碳杂质去除的系统及方法 [P]. 
明勇 ;
母亚平 ;
王峰 ;
李兵 ;
庹如刚 ;
蒲勇 ;
晏涛 ;
邱孝兵 .
中国专利 :CN120502115A ,2025-08-19
[6]
用于从氯硅烷中去除杂质的方法和设备 [P]. 
K·席林格 ;
N·米伦科维奇 .
中国专利 :CN111263732A ,2020-06-09
[7]
从无机硅烷中去除含杂质的金属 [P]. 
H·劳尔德 ;
E·穆 ;
J·蒙基维奇 ;
H·J·霍恩 ;
R·索南谢恩 .
中国专利 :CN101412513A ,2009-04-22
[8]
一种去除氯硅烷中含碳杂质的反应精馏提纯方法及装置 [P]. 
黄国强 ;
张明鑫 .
中国专利 :CN110980742A ,2020-04-10
[9]
纯化有含磷杂质的高纯氢或高纯氯硅烷的方法 [P]. 
吕学谦 ;
银波 ;
何隆 ;
宋高杰 ;
范协诚 .
中国专利 :CN106517094B ,2017-03-22
[10]
去除氯硅烷体系中硼杂质的隔板吸附装置及方法 [P]. 
黄国强 ;
石秋玲 ;
王红星 ;
华超 ;
王国峰 ;
姚帅鹏 .
中国专利 :CN102058992B ,2011-05-18