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存储器器件、存储器阵列及其形成方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202110942687.0
申请日
:
2021-08-17
公开(公告)号
:
CN114079007A
公开(公告)日
:
2022-02-22
发明(设计)人
:
章纬
卓荣发
陈元文
陈学深
申请人
:
申请人地址
:
新加坡新加坡市
IPC主分类号
:
H01L4500
IPC分类号
:
H01L2724
代理机构
:
北京市中咨律师事务所 11247
代理人
:
林莹莹;牛南辉
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2022-03-11
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 45/00 申请日:20210817
2022-02-22
公开
公开
共 50 条
[1]
存储器器件、存储器阵列及其形成方法
[P].
章纬
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机构:
格芯新加坡私人有限公司
格芯新加坡私人有限公司
章纬
;
卓荣发
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格芯新加坡私人有限公司
格芯新加坡私人有限公司
卓荣发
;
陈元文
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格芯新加坡私人有限公司
格芯新加坡私人有限公司
陈元文
;
陈学深
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机构:
格芯新加坡私人有限公司
格芯新加坡私人有限公司
陈学深
.
:CN114079007B
,2025-04-25
[2]
存储器阵列、存储器器件及其形成方法
[P].
林孟汉
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机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
林孟汉
;
贾汉中
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机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
贾汉中
;
王圣祯
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机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
王圣祯
;
杨丰诚
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机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
杨丰诚
;
林佑明
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机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
林佑明
;
林仲德
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机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
林仲德
.
中国专利
:CN113675215B
,2024-09-17
[3]
存储器阵列、存储器器件及其形成方法
[P].
林孟汉
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;
贾汉中
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贾汉中
;
王圣祯
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王圣祯
;
杨丰诚
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杨丰诚
;
林佑明
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林佑明
;
林仲德
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林仲德
.
中国专利
:CN113675215A
,2021-11-19
[4]
存储器阵列器件及其形成方法
[P].
林孟汉
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林孟汉
;
杨丰诚
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杨丰诚
;
王圣祯
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王圣祯
;
杨世海
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杨世海
;
林佑明
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林佑明
;
贾汉中
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贾汉中
.
中国专利
:CN113517301A
,2021-10-19
[5]
存储器阵列器件及其形成方法
[P].
林孟汉
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机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
林孟汉
;
杨丰诚
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台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
杨丰诚
;
王圣祯
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台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
王圣祯
;
杨世海
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台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
杨世海
;
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台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
林佑明
;
贾汉中
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机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
贾汉中
.
中国专利
:CN113517301B
,2024-09-20
[6]
存储器阵列及其形成方法
[P].
林孟汉
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林孟汉
;
王晨晨
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王晨晨
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刘逸青
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刘逸青
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贾汉中
;
杨世海
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杨世海
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林佑明
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林佑明
;
王奕
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王奕
.
中国专利
:CN113488482A
,2021-10-08
[7]
存储器阵列及其形成方法
[P].
林孟汉
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机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
林孟汉
;
王晨晨
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台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
王晨晨
;
刘逸青
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台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
刘逸青
;
贾汉中
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机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
贾汉中
;
杨世海
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台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
杨世海
;
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台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
林佑明
;
王奕
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机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
王奕
.
中国专利
:CN113488482B
,2024-04-09
[8]
存储器器件及其形成方法
[P].
吴绍鼎
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机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
吴绍鼎
;
张盟昇
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机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
张盟昇
.
中国专利
:CN119156006A
,2024-12-17
[9]
存储器器件及其形成方法
[P].
吕俊颉
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吕俊颉
;
杨世海
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杨世海
;
林佑明
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林佑明
.
中国专利
:CN113380824A
,2021-09-10
[10]
存储器器件及其形成方法
[P].
粘逸昕
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机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
粘逸昕
;
藤原英弘
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机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
藤原英弘
;
林志宇
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机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
林志宇
;
陈炎辉
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机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
陈炎辉
.
中国专利
:CN118887983A
,2024-11-01
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