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一种低开启电压的超结LIGBT器件
被引:0
专利类型
:
实用新型
申请号
:
CN202122146817.8
申请日
:
2021-09-07
公开(公告)号
:
CN215731727U
公开(公告)日
:
2022-02-01
发明(设计)人
:
吴玉舟
李菲
李欣
刘铁川
禹久赢
申请人
:
申请人地址
:
201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区蔡伦路1690号2号楼405室
IPC主分类号
:
H01L2906
IPC分类号
:
H01L29739
代理机构
:
上海邦德专利代理事务所(普通合伙) 31312
代理人
:
梁剑
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2022-02-01
授权
授权
共 50 条
[1]
一种低开启电压的超结LIGBT器件
[P].
吴玉舟
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吴玉舟
;
李菲
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李菲
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李欣
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李欣
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刘铁川
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刘铁川
;
禹久赢
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禹久赢
.
中国专利
:CN113725281A
,2021-11-30
[2]
一种低开启电压的超结RB-IGBT器件
[P].
吴玉舟
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吴玉舟
;
李菲
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李菲
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李欣
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李欣
;
刘铁川
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刘铁川
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禹久赢
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禹久赢
.
中国专利
:CN215731726U
,2022-02-01
[3]
一种低开启电压的超结RB-IGBT器件
[P].
吴玉舟
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上海超致半导体科技有限公司
上海超致半导体科技有限公司
吴玉舟
;
李菲
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上海超致半导体科技有限公司
上海超致半导体科技有限公司
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;
李欣
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上海超致半导体科技有限公司
上海超致半导体科技有限公司
李欣
;
刘铁川
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上海超致半导体科技有限公司
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刘铁川
;
禹久赢
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机构:
上海超致半导体科技有限公司
上海超致半导体科技有限公司
禹久赢
.
中国专利
:CN113725280B
,2025-12-30
[4]
一种低开启电压的超结RB-IGBT器件
[P].
吴玉舟
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吴玉舟
;
李菲
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李菲
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李欣
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李欣
;
刘铁川
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刘铁川
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禹久赢
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禹久赢
.
中国专利
:CN113725280A
,2021-11-30
[5]
具有SiC/Si异质结的双栅低功耗LIGBT器件
[P].
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袁嵩
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王猛
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何艳静
;
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弓小武
.
中国专利
:CN221805536U
,2024-10-01
[6]
一种具有SiC/Si异质结的沟槽栅低功耗LIGBT器件
[P].
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机构:
江希
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王猛
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袁嵩
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何艳静
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机构:
弓小武
.
中国专利
:CN221960979U
,2024-11-05
[7]
一种多通道超结IGBT器件
[P].
吴玉舟
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吴玉舟
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李菲
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李菲
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刘铁川
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刘铁川
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禹久赢
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禹久赢
.
中国专利
:CN216871974U
,2022-07-01
[8]
一种SOI‑LIGBT器件
[P].
乔明
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乔明
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詹珍雅
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詹珍雅
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章文通
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章文通
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何逸涛
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何逸涛
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王正康
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余洋
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张波
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张波
.
中国专利
:CN106847882A
,2017-06-13
[9]
一种超结RB-IGBT器件结构
[P].
吴玉舟
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吴玉舟
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刘铁川
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刘铁川
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李欣
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李菲
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禹久赢
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禹久赢
.
中国专利
:CN216980569U
,2022-07-15
[10]
一种集成双多功能槽栅的超结RC-LIGBT器件
[P].
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机构:
陈伟中
;
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机构:
李程
;
曾祥伟
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重庆邮电大学
重庆邮电大学
曾祥伟
;
吴傲
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重庆邮电大学
重庆邮电大学
吴傲
.
中国专利
:CN118748204A
,2024-10-08
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