一种垂直MXene阵列极片的制备方法、垂直MXene阵列极片及应用

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申请号
CN202210162214.3
申请日
2022-02-22
公开(公告)号
CN114551811A
公开(公告)日
2022-05-27
发明(设计)人
宫勇吉 陈乾 杨智林 姚勇
申请人
申请人地址
100000 北京市海淀区学院路37号
IPC主分类号
H01M41393
IPC分类号
H01M4136 H01M10052 H01M4587 B82Y3000 B82Y4000
代理机构
北京中睿智恒知识产权代理事务所(普通合伙) 16025
代理人
黄莉
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
制备纳米片阵列材料的方法、正极极片 [P]. 
邱继一承 ;
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[3]
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[4]
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[5]
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[6]
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[7]
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[8]
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[9]
一种单层MXene纳米片及其制备方法 [P]. 
段小明 ;
严墨 ;
卫增岩 ;
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[10]
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曹海亮 ;
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