一种纳米镧锶锰氧化物的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810045116.1

申请日：

2008-01-04

公开(公告)号：

CN101224907B

公开(公告)日：

2008-07-23

发明(设计)人：

何伟羊新胜阚香张元发杨立芹赵勇

申请人：

申请人地址：

610031 四川省成都市二环路北一段111号

IPC主分类号：

C01G4500

IPC分类号：

C04B3536

代理机构：

成都博通专利事务所 51208

代理人：

陈树明

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-10-06	授权	授权
2014-03-12	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101576122295 IPC(主分类):C01G 45/00 专利号:ZL2008100451161 申请日:20080104 授权公告日:20101006 终止日期:20130104
2008-09-17	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-07-23	公开	公开

共 50 条

[1]

一种制备纳米镧锶锰氧化物粉体的方法 [P].

曾珧法 ;

白平平 ;

童培云 ;

任晓东 .

中国专利 :CN112744867B ,2021-05-04

[2]

一种钌酸锶/镧锶锰氧过渡金属氧化物异质结及其制备方法 [P].

陈明敬 ;

宁兴坤 ;

方立德 ;

孟庆刚 ;

王江龙 ;

王淑芳 ;

李小亭 .

中国专利 :CN109628890A ,2019-04-16

[3]

一种镧锶银锰氧化物磁电阻材料 [P].

唐贵德 ;

刘兴民 ;

刘力虎 ;

赵旭 ;

郝普 ;

陈伟 ;

侯登录 ;

聂向富 .

中国专利 :CN100364131C ,2004-11-10

[4]

一种柔性过渡金属氧化物镧锶锰氧铁磁性厚膜制备方法及其应用 [P].

陈立明 ;

徐立智 ;

周健 ;

丁健翔 ;

孙正明 .

中国专利 :CN115557789A ,2023-01-03

[5]

一种纳米锰氧化物的制备方法 [P].

冯汝明 ;

杨伟领 ;

胡浩杰 ;

凌芳 .

中国专利 :CN114702073A ,2022-07-05

[6]

一种纳米锰氧化物的制备方法 [P].

王翀 ;

丁纯梅 ;

唐定兴 .

中国专利 :CN102910679A ,2013-02-06

[7]

镍酸镧导电金属氧化物纳米薄膜的制备方法 [P].

张丛春 ;

王亚攀 ;

石金川 ;

杨春生 .

中国专利 :CN101343729A ,2009-01-14

[8]

一种制备锰氧化物纳米材料的方法 [P].

王龙 .

中国专利 :CN102060333B ,2011-05-18

[9]

一种锰氧化物纳米棒的制备方法 [P].

李全军 ;

蓝雷雷 ;

刘冰冰 ;

张华芳 .

中国专利 :CN104211123A ,2014-12-17

[10]

一种纳米镧镍金属氧化物的制备方法 [P].

张炽坚 ;

关焕敏 .

中国专利 :CN120589807A ,2025-09-05

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