透明导电体

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201320489753.4

申请日：

2013-08-12

公开(公告)号：

CN203465691U

公开(公告)日：

2014-03-05

发明(设计)人：

刘伟唐根初

申请人：

申请人地址：

330013 江西省南昌市昌北经济开发区黄家湖路欧菲光科技园

IPC主分类号：

G06F3041

IPC分类号：

G06F3044 G06F3045

代理机构：

北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205

代理人：

刘芳

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-08-02	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G06F 3/041 申请日:20130812 授权公告日:20140305 终止日期:20180812
2014-03-05	授权	授权

共 50 条

[1]

透明导电体及制备方法 [P].

刘伟 ;

唐根初 .

中国专利 :CN103425349B ,2013-12-04

[2]

透明导电体 [P].

刘伟 ;

唐根初 ;

唐彬 .

中国专利 :CN203118522U ,2013-08-07

[3]

透明导电材料以及透明导电体 [P].

稻叶和久 ;

安田德行 .

中国专利 :CN101447243B ,2009-06-03

[4]

透明导电体 [P].

唐根初 ;

刘伟 ;

蒋芳 .

中国专利 :CN203910288U ,2014-10-29

[5]

透明导电体 [P].

唐根初 ;

董绳财 ;

刘伟 ;

唐彬 .

中国专利 :CN203179574U ,2013-09-04

[6]

透明导电体 [P].

刘伟 ;

唐根初 .

中国专利 :CN203659457U ,2014-06-18

[7]

透明导电体 [P].

唐根初 ;

刘伟 ;

蒋芳 .

中国专利 :CN104021845A ,2014-09-03

[8]

透明导电体及透明导电体的制造方法 [P].

井上纯一 .

中国专利 :CN105745720A ,2016-07-06

[9]

透明导电体和透明导电材料 [P].

安田德行 ;

山田千惠子 .

中国专利 :CN1901099A ,2007-01-24

[10]

透明导电材料和透明导电体 [P].

安田德行 .

中国专利 :CN1767079A ,2006-05-03

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