一种镉离子表面印迹吸附材料的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210486758.1

申请日：

2012-11-27

公开(公告)号：

CN102989429B

公开(公告)日：

2013-03-27

发明(设计)人：

门吉英王蕊欣高保娇李延斌雷青娟

申请人：

申请人地址：

030006 山西省太原市尖草坪区学院路3号

IPC主分类号：

B01J2026

IPC分类号：

B01J2030 C02F128 C02F162 C08J928

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-05-20	授权	授权
2015-05-06	著录事项变更	著录事项变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101714512091 IPC(主分类):B01J 20/26 专利申请号:2012104867581 变更事项:发明人变更前:高保娇;门吉英;王蕊欣;李延斌;雷青娟变更后:门吉英;王蕊欣;高保娇;李延斌;雷青娟
2017-01-11	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101697362111 IPC(主分类):B01J 20/26 专利号:ZL2012104867581 申请日:20121127 授权公告日:20150520 终止日期:20151127
2013-03-27	公开	公开
2013-04-24	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101444321540 IPC(主分类):B01J 20/26 专利申请号:2012104867581 申请日:20121127

共 50 条

[1]

一种汞离子表面印迹吸附材料的制备方法 [P].

冯钦忠 ;

杨世童 ;

王凯月 ;

陈俊 ;

陈扬 ;

刘俐媛 ;

王通哲 ;

郭剑波 .

中国专利 :CN118105951A ,2024-05-31

[2]

一种镉离子表面印迹复合材料的制备方法和应用 [P].

刘辉 ;

唐仕荣 ;

苗敬芝 ;

巫永华 ;

陈家茹 .

中国专利 :CN114137049A ,2022-03-04

[3]

一种镉离子表面印迹复合材料的制备方法和应用 [P].

刘辉 ;

唐仕荣 ;

苗敬芝 ;

巫永华 ;

陈家茹 .

中国专利 :CN114137049B ,2024-07-02

[4]

一种磁性金属离子表面分子印迹材料的制备方法 [P].

张少文 ;

彭传云 ;

冯勇 ;

吴春来 ;

赵丹 ;

董小康 ;

王梦华 ;

张睿杰 ;

杨桦 .

中国专利 :CN109675531B ,2019-04-26

[5]

一种脲基功能化镉离子表面印迹吸附剂的制备方法及用途 [P].

祝方 ;

李璐玮 ;

欧文波 .

中国专利 :CN105148851A ,2015-12-16

[6]

一种磁性镉离子表面印迹聚合物的制备方法 [P].

张惠欣 ;

窦倩 .

中国专利 :CN103709342B ,2014-04-09

[7]

硅球表面镉离子印迹巯基功能化吸附材料的合成方法及吸附材料 [P].

方国臻 ;

谭津 ;

严秀平 .

中国专利 :CN1621146A ,2005-06-01

[8]

一种介孔硅藻As(V)离子表面印迹材料的制备方法和应用 [P].

李聪 ;

钟溢健 ;

王蓝青 ;

梁效铭 ;

解庆林 ;

陈南春 .

中国专利 :CN108837813A ,2018-11-20

[9]

一种硅基铜(II)离子表面印迹材料及其制备方法 [P].

张源源 ;

张田林 ;

吴雨晏 ;

张鹏伟 ;

陈娜 .

中国专利 :CN107602784A ,2018-01-19

[10]

一种硅藻土表面As（Ⅲ）离子印迹吸附材料的制备方法 [P].

杨勤桃 ;

解庆林 ;

陈南春 ;

代俊峰 ;

曾鸿鹄 ;

梁延鹏 .

中国专利 :CN110201649A ,2019-09-06

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