温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷MgBiVO5

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610089456.9

申请日：

2016-02-18

公开(公告)号：

CN105565802A

公开(公告)日：

2016-05-11

发明(设计)人：

方亮邓酩李纯纯

申请人：

申请人地址：

541004 广西壮族自治区桂林市建干路12号

IPC主分类号：

C04B35453

IPC分类号：

C04B35495 C04B3564

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-06-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101663907112 IPC(主分类):C04B 35/453 专利申请号:2016100894569 申请日:20160218
2021-02-12	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C04B 35/453 申请公布日:20160511
2016-05-11	公开	公开

共 50 条

[1]

温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷LiAlSnO4 [P].

徐敏育 ;

段炼 ;

苏和平 .

中国专利 :CN106116565A ,2016-11-16

[2]

温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷LiCaVO4 [P].

陈进武 ;

唐莹 ;

方维双 .

中国专利 :CN105272241A ,2016-01-27

[3]

温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷Li2LaVO5 [P].

陈进武 ;

方亮 ;

王丹 .

中国专利 :CN104817324A ,2015-08-05

[4]

温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷CaLiNd3W5O21 [P].

李纯纯 ;

唐莹 ;

王丹 .

中国专利 :CN104876575A ,2015-09-02

[5]

温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷Mg4BiVO8 [P].

方维双 ;

邓酩 ;

李纯纯 .

中国专利 :CN105565803A ,2016-05-11

[6]

温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷Li2NdV5O15 [P].

陈进武 ;

方亮 ;

王丹 .

中国专利 :CN104844209A ,2015-08-19

[7]

温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷CaLaV3O10 [P].

陈进武 ;

方亮 ;

王丹 .

中国专利 :CN104844210A ,2015-08-19

[8]

温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷LiBaYV2O8 [P].

罗昊 ;

唐莹 ;

方维双 .

中国专利 :CN105036744A ,2015-11-11

[9]

低损耗温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷Li2CaMgGeO5 [P].

相怀成 ;

段炼 ;

苏和平 .

中国专利 :CN106187104A ,2016-12-07

[10]

温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷LiSrSmV2O8 [P].

王丹 ;

唐莹 ;

方维双 .

中国专利 :CN105236972A ,2016-01-13

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