一种碳化硼基复相陶瓷及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010917233.3

申请日：

2020-09-03

公开(公告)号：

CN112209718B

公开(公告)日：

2021-01-12

发明(设计)人：

王宏孟庆海郭方慧孙宏伟钟军

申请人：

申请人地址：

110000 辽宁省沈阳市浑南区新隆街10-1号105室

IPC主分类号：

C04B35563

IPC分类号：

C04B35622 B33Y3000 B33Y7000 B33Y1000 B28B100 B28B300 B28B1124 B28B1700

代理机构：

北京路浩知识产权代理有限公司 11002

代理人：

盛大文

法律状态：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-07-08	授权	授权
2021-01-12	公开	公开
2021-01-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C04B 35/563 申请日:20200903

共 50 条

[1]

一种碳化硼基复相陶瓷及其制备方法 [P].

刘冠杞 ;

张舸 ;

包建勋 ;

崔聪聪 ;

郭聪慧 ;

王彬宇 ;

张巍 ;

李伟 ;

朱万利 .

中国专利 :CN120794634A ,2025-10-17

[2]

碳化硼碳化硅复相陶瓷及其制备方法 [P].

方宁象 ;

高明霞 ;

潘颐 ;

张国军 ;

巫红燕 ;

周红良 .

中国专利 :CN102219518B ,2011-10-19

[3]

一种碳化硼/碳化硅复相陶瓷及其制备方法 [P].

王扬卫 ;

沈永华 ;

王富耻 ;

陈涛 ;

程焕武 ;

马壮 .

中国专利 :CN108640687A ,2018-10-12

[4]

一种气压固相烧结碳化硼复相陶瓷及其制备方法 [P].

段春雷 ;

付利华 ;

李晓臣 ;

保玉芝 ;

赵强 .

中国专利 :CN109553419A ,2019-04-02

[5]

碳化硼基复相陶瓷及其放电等离子烧结制备方法 [P].

李云凯 ;

程兴旺 ;

侯桂芹 ;

孙川 ;

杭晓聪 .

中国专利 :CN105924176A ,2016-09-07

[6]

一种低烧结温度的碳化硼基复相陶瓷的制备方法 [P].

李志斌 ;

赵晓峰 ;

郝巍 ;

王坤 .

中国专利 :CN119874370A ,2025-04-25

[7]

一种高熵二硼化物-碳化硼复相陶瓷、制备方法及其应用 [P].

冉松林 ;

王东 ;

丁祥 ;

金星 ;

李庆归 .

中国专利 :CN113636842B ,2021-11-12

[8]

一种碳化硼基复相陶瓷的热压-反应烧结制备方法 [P].

李云凯 ;

程兴旺 ;

侯桂芹 ;

孙川 ;

杭晓聪 .

中国专利 :CN105924177A ,2016-09-07

[9]

一种原位反应无压烧结制备碳化硼基复相陶瓷的方法 [P].

刘冠杞 ;

陈诗杏 ;

延翔宇 ;

傅宇东 ;

王玉金 .

中国专利 :CN113292343A ,2021-08-24

[10]

一种纳米粉体改性碳化硅-碳化硼复相陶瓷及其制备方法 [P].

孙孟勇 ;

杨双燕 ;

张武 ;

高晓菊 ;

李国斌 ;

尹飞 ;

曲俊峰 ;

童鹤 ;

郭敏 ;

栾承华 .

中国专利 :CN114591086A ,2022-06-07

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