掺杂一价离子的尖晶石富锂锰酸锂正极材料的制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201310617973.5
申请日
2013-11-28
公开(公告)号
CN103606668B
公开(公告)日
2014-02-26
发明(设计)人
童庆松 黄能贵 姜祥祥 潘国涛 李秀华 蔡斌 王浪 陈顺玉
申请人
申请人地址
350108 福建省福州市闽侯县上街镇福建师范大学科技处
IPC主分类号
H01M4505
IPC分类号
H01M438
代理机构
福州君诚知识产权代理有限公司 35211
代理人
戴雨君
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
掺杂四价钛离子的尖晶石富锂锰酸锂正极材料的制备方法 [P]. 
童庆松 ;
王浪 ;
潘国涛 ;
黄能贵 ;
李秀华 ;
任媛媛 ;
郑莹颍 ;
吕超 .
中国专利 :CN103594704A ,2014-02-19
[2]
掺杂四价稀土离子的尖晶石富锂锰酸锂正极材料的制备方法 [P]. 
童庆松 ;
姜祥祥 ;
周惠 ;
潘国涛 ;
刘灿培 ;
蔡斌 ;
黄能贵 ;
王浪 ;
陈顺玉 .
中国专利 :CN103594705B ,2014-02-19
[3]
通过掺锆制备掺杂尖晶石富锂锰酸锂正极材料的方法 [P]. 
童庆松 ;
潘国涛 ;
姜祥祥 ;
朱德钦 ;
蔡斌 ;
黄能贵 ;
王浪 .
中国专利 :CN103579613B ,2014-02-12
[4]
掺二价阳离子的尖晶石富锂锰酸锂正极材料的制备方法 [P]. 
童庆松 ;
王浪 ;
潘国涛 ;
姜祥祥 ;
李秀华 ;
蔡斌 ;
黄能贵 ;
朱德钦 .
中国专利 :CN103594703A ,2014-02-19
[5]
通过掺杂钼离子制备尖晶石型富锂锰酸锂正极材料的方法 [P]. 
童庆松 ;
任媛媛 ;
郑莹颍 ;
刘灿培 ;
潘国涛 ;
粟雪 ;
朱德钦 ;
吕超 .
中国专利 :CN103746105B ,2014-04-23
[6]
掺钇尖晶石富锂锰酸锂正极材料的制备方法 [P]. 
童庆松 ;
潘国涛 ;
姜祥祥 ;
蔡斌 ;
李秀华 ;
黄能贵 ;
王浪 ;
朱德钦 .
中国专利 :CN103594706A ,2014-02-19
[7]
掺钒尖晶石富锂锰酸锂正极材料的制备方法 [P]. 
童庆松 ;
黄能贵 ;
潘国涛 ;
任媛媛 ;
郑莹颍 ;
吕超 ;
王浪 ;
李秀华 .
中国专利 :CN103594700A ,2014-02-19
[8]
掺三价钪或铬的尖晶石富锂锰酸锂正极材料的制备方法 [P]. 
童庆松 ;
吕超 ;
任媛媛 ;
郑莹颍 ;
陈顺玉 ;
粟雪 ;
黄能贵 ;
李秀华 ;
朱德钦 .
中国专利 :CN103606669A ,2014-02-26
[9]
包覆尖晶石富锂锰酸锂正极材料的制备方法 [P]. 
童庆松 ;
彭建明 ;
王蕾 ;
曾观音 ;
郭可可 ;
黄雪红 ;
赵南南 ;
游帅帅 ;
李秀华 .
中国专利 :CN105914360A ,2016-08-31
[10]
掺硼尖晶石富锂锰酸锂正极材料的制备方法 [P]. 
童庆松 ;
任媛媛 ;
郑莹颍 ;
吕超 ;
潘国涛 ;
陈顺玉 ;
李秀华 .
中国专利 :CN103579611A ,2014-02-12