一种HJT非晶硅镀膜后不良片的返工工艺

被引：0

申请号：

CN202110805357.7

申请日：

2021-07-16

公开(公告)号：

CN115621370A

公开(公告)日：

2023-01-17

发明(设计)人：

庄辉虎许海堂林烟烟

申请人：

申请人地址：

351111 福建省莆田市涵江区国欢东路655号

IPC主分类号：

H01L3120

IPC分类号：

C30B2906 C30B3300 C30B3308

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-02-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/20 申请日:20210716
2023-01-17	公开	公开

共 50 条

[1]

一种HJT电池不良片的返工工艺 [P].

庄辉虎 ;

许海堂 ;

林烟烟 .

中国专利 :CN115621358B ,2025-10-31

[2]

一种HJT电池不良片的返工工艺 [P].

庄辉虎 ;

许海堂 ;

林烟烟 .

中国专利 :CN115621358A ,2023-01-17

[3]

一种单晶硅电池片返工工艺 [P].

王宝磊 ;

孙占峰 ;

李小玄 ;

李锴 ;

马琳丽 .

中国专利 :CN110911271A ,2020-03-24

[4]

一种晶硅太阳能电池PECVD镀膜后不良片的返工方法 [P].

王大卫 ;

崔红星 ;

张文锋 ;

胡应全 ;

林海峰 .

中国专利 :CN104485388A ,2015-04-01

[5]

扩散后不良片的单独返工方法 [P].

张文锋 ;

郑少万 ;

崔红星 .

中国专利 :CN104993014A ,2015-10-21

[6]

一种湿法黑硅扩散后返工片返工的方法 [P].

何长春 ;

仇杰 ;

葛竖坚 ;

何梅 .

中国专利 :CN108091725A ,2018-05-29

[7]

一种PVD返工片返工工艺 [P].

王诗荣 ;

徐博斐 ;

赵寿凯 ;

王海军 ;

侯洪涛 .

中国专利 :CN119029094A ,2024-11-26

[8]

一种异质结镀膜后返工片的清洗方法 [P].

安艳龙 ;

王强 ;

王步峰 ;

陈斌 .

中国专利 :CN115376891A ,2022-11-22

[9]

一种PERC电池PECVD镀膜不良片的返工清洗方法 [P].

王英杰 ;

何跃 ;

宋飞飞 ;

任勇 .

中国专利 :CN112670166A ,2021-04-16

[10]

一种成品晶硅太阳能电池片的返工工艺 [P].

刘文峰 ;

郭进 ;

任哲 ;

成文 .

中国专利 :CN102629644B ,2012-08-08

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