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半导体结构及其制备方法、存储器、存储系统及电子设备

被引：0
申请号：
CN202210264478.X
申请日：
2022-03-17
公开(公告)号：
CN114664842A
公开(公告)日：
2022-06-24
发明(设计)人：
乔思 高晶
申请人：
申请人地址：
430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
IPC主分类号：
H01L2711524
IPC分类号：
H01L2711556 H01L271157 H01L2711582 H01L2518 H05K118
代理机构：
北京中博世达专利商标代理有限公司 11274
代理人：
申健
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-06-24 公开 公开
2022-07-12 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/11524 申请日:20220317
共 50 条
[1]
半导体结构及其制备方法、存储器、存储系统、电子设备 [P]. 
贾信磊 ;
韩佳茵 ;
徐盼 ;
杨琨 ;
靳磊 .
中国专利 :CN114420698A ,2022-04-29
[2]
半导体结构及其制备方法、存储器、存储系统、电子设备 [P]. 
贾信磊 ;
贾建权 ;
周稳 ;
游开开 ;
韩佳茵 ;
徐盼 ;
杨琨 ;
靳磊 .
中国专利 :CN114284287B ,2025-07-29
[3]
半导体结构及其制备方法、存储器、存储系统、电子设备 [P]. 
贾信磊 ;
贾建权 ;
周稳 ;
游开开 ;
韩佳茵 ;
徐盼 ;
杨琨 ;
靳磊 .
中国专利 :CN120857505A ,2025-10-28
[4]
半导体结构及其制备方法、存储器、存储系统、电子设备 [P]. 
贾信磊 ;
贾建权 ;
周稳 ;
游开开 ;
韩佳茵 ;
徐盼 ;
杨琨 ;
靳磊 .
中国专利 :CN114284287A ,2022-04-05
[5]
半导体结构及其制备方法、存储器、存储系统、电子设备 [P]. 
乔思 ;
唐兆云 ;
华文宇 ;
丁潇 ;
朱海鹏 ;
邢雨林 ;
张浩 ;
邓志 .
中国专利 :CN121001338A ,2025-11-21
[6]
半导体结构及其制备方法、存储器、存储系统和电子设备 [P]. 
顾妍 ;
王迪 ;
张庆福 ;
周文犀 .
中国专利 :CN114664851A ,2022-06-24
[7]
半导体结构及其制备方法、存储器、存储系统、电子设备 [P]. 
郭秦敏 ;
周毅 ;
罗兴安 ;
贺晓平 .
中国专利 :CN121001337A ,2025-11-21
[8]
半导体结构及其制备方法、存储器、存储系统、电子设备 [P]. 
张伟民 ;
蔡志勇 ;
龙洋 ;
罗兴安 ;
周毅 .
中国专利 :CN120936021A ,2025-11-11
[9]
半导体结构、三维存储器、存储系统及电子设备 [P]. 
刘雅琴 ;
陈亮 ;
黄蔚 ;
史维华 ;
王颖 ;
刘威 .
中国专利 :CN121057219A ,2025-12-02
[10]
半导体结构及其制备方法、存储系统、电子设备 [P]. 
张文博 ;
余凯 ;
陆智勇 ;
彭盛 ;
程朝晖 ;
曹开俊 ;
李张宜 ;
张梦 ;
高晶 ;
霍宗亮 .
中国专利 :CN119603969A ,2025-03-11
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