一种高介电常数聚合物基纳米复合材料的制备方法

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专利类型
发明
申请号
CN200910089271.8
申请日
2009-07-15
公开(公告)号
CN101955621A
公开(公告)日
2011-01-26
发明(设计)人
党智敏 王海燕
申请人
申请人地址
100029 北京市朝阳区北三环东路15号
IPC主分类号
C08L2716
IPC分类号
C08K324
代理机构
北京思海天达知识产权代理有限公司 11203
代理人
沈波
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
一种制备具有高介电常数的聚合物基复合材料的方法 [P]. 
王勇 ;
肖燕君 ;
杨静晖 ;
黄婷 ;
张楠 .
中国专利 :CN105802091A ,2016-07-27
[2]
一种高介电常数陶瓷/聚合物基复合介电材料及制备方法 [P]. 
宋洪松 ;
杨程 .
中国专利 :CN102924852A ,2013-02-13
[3]
一种具有高介电常数的聚合物-钾盐复合材料的制备方法 [P]. 
朱基亮 ;
王明松 ;
李绪海 ;
朱建国 ;
肖定全 .
中国专利 :CN102157354B ,2011-08-17
[4]
一种高介电聚合物基钛酸钡纳米复合材料的制备方法 [P]. 
谢惠 .
中国专利 :CN112280224A ,2021-01-29
[5]
一种高介电常数低损耗金属/聚合物复合材料及其制备方法 [P]. 
王法军 ;
余石金 ;
谭宗尚 .
中国专利 :CN102702652A ,2012-10-03
[6]
一种制备聚合物基高介电纳米复合材料的方法 [P]. 
侯豪情 ;
丁义纯 ;
谢成宸 ;
陈林林 .
中国专利 :CN103147226B ,2013-06-12
[7]
高介电常数的钛酸钡/聚合物复合材料及其制备方法 [P]. 
谢礼源 ;
江平开 ;
黄兴溢 ;
黄彦辉 ;
杨科 ;
吴新锋 ;
吴超 .
中国专利 :CN103382240B ,2013-11-06
[8]
高介电常数陶瓷/聚合物基复合介电材料的制备方法 [P]. 
宋洪松 ;
杨程 .
中国专利 :CN102653622A ,2012-09-05
[9]
一种高储能密度聚合物基纳米复合材料及其制备方法 [P]. 
傅强 ;
刘丁侥 ;
张琴 ;
陈枫 ;
李永鸿 ;
钟秀珍 .
中国专利 :CN109486000B ,2019-03-19
[10]
碳纳米管/聚合物高介电常数复合薄膜的制备方法 [P]. 
李淑琴 ;
王经文 ;
肖军 ;
李勇 .
中国专利 :CN101220166A ,2008-07-16