碳化硅半导体装置的制造方法及碳化硅半导体装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201580006779.0

申请日：

2015-03-11

公开(公告)号：

CN105940498B

公开(公告)日：

2016-09-14

发明(设计)人：

须原纪之堤岳志巻渕阳一荒岡干福田宪司原田信介岡本光央

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县川崎市

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2128 H01L21336 H01L2912 H01L29417

代理机构：

北京铭硕知识产权代理有限公司 11286

代理人：

孙昌浩;李盛泉

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-09-14	公开	公开
2019-12-10	授权	授权
2016-10-19	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101683110664 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2015800067790 申请日:20150311

共 50 条

[1]

碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法 [P].

桥爪悠一 ;

熊田惠志郎 ;

星保幸 .

中国专利 :CN109427902A ,2019-03-05

[2]

碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法 [P].

大瀬直之 .

日本专利 :CN118198125A ,2024-06-14

[3]

碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法 [P].

藤本卓巳 .

中国专利 :CN109841616A ,2019-06-04

[4]

碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法 [P].

俵武志 ;

水岛智教 ;

松永慎一郎 ;

竹中研介 ;

武井学 ;

土田秀一 ;

村田晃一 ;

小山皓洋 ;

中山浩二 ;

染谷满 ;

米泽喜幸 ;

木内祐治 .

中国专利 :CN113892189A ,2022-01-04

[5]

碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法 [P].

俵武志 ;

水岛智教 ;

松永慎一郎 ;

竹中研介 ;

武井学 ;

土田秀一 ;

村田晃一 ;

小山皓洋 ;

中山浩二 ;

染谷满 ;

米泽喜幸 ;

木内祐治 .

日本专利 :CN113892189B ,2025-04-18

[6]

碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法 [P].

木下明将 .

日本专利 :CN117594652A ,2024-02-23

[7]

碳化硅半导体装置和碳化硅半导体装置的制造方法 [P].

胁本节子 .

中国专利 :CN112652653A ,2021-04-13

[8]

碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法 [P].

木下明将 .

日本专利 :CN112466924B ,2025-08-29

[9]

碳化硅半导体装置的制造方法及碳化硅半导体装置 [P].

樽井阳一郎 .

中国专利 :CN101859706B ,2010-10-13

[10]

碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法 [P].

熊田恵志郎 ;

桥爪悠一 ;

星保幸 ;

铃木启久 .

中国专利 :CN110383489A ,2019-10-25

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