超低发射固态继电器

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201910615418.6
申请日
2019-07-09
公开(公告)号
CN110830018A
公开(公告)日
2020-02-21
发明(设计)人
塞吉奥·奥罗茨科
申请人
申请人地址
美国马萨诸塞州
IPC主分类号
H03K17687
IPC分类号
H03K1768 H03K17725
代理机构
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258
代理人
林强
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
固态继电器 [P]. 
杨志军 .
中国专利 :CN2375033Y ,2000-04-19
[2]
固态继电器 [P]. 
李云孝 .
中国专利 :CN2735662Y ,2005-10-19
[3]
固态继电器电路 [P]. 
吴宁 ;
吴悠 ;
王大朋 ;
李辉耀 .
中国专利 :CN111199850B ,2020-05-26
[4]
固态继电器 [P]. 
汪瑞昌 ;
江文资 ;
程德明 ;
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固态继电器 [P]. 
邱晓峰 .
中国专利 :CN2824433Y ,2006-10-04
[6]
固态继电器 [P]. 
斯特凡·伯格伦德 ;
森克·哈贝尼希特 ;
米夏埃尔·弗利克斯·科奈容 ;
约阿希姆·施坦格 ;
裴晟佑 .
中国专利 :CN107302352A ,2017-10-27
[7]
微波隔离固态继电器 [P]. 
陆玉芳 ;
黄敏 ;
陈春海 ;
柏元忠 ;
崔黎 ;
蒋端林 ;
宁艳艳 .
中国专利 :CN205725702U ,2016-11-23
[8]
一种直流固态继电器 [P]. 
陈谦 ;
鞠平 ;
黄攀 ;
卞海浪 ;
韩敬东 ;
金宇清 .
中国专利 :CN102064811A ,2011-05-18
[9]
直流固态继电器 [P]. 
杨海珊 .
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[10]
集成固态继电器 [P]. 
R·P·克拉克 ;
金成来 ;
C·F·爱德华兹 ;
A·贝尔格蒙特 ;
D·瓦尔加 ;
M·J·杜维克 .
美国专利 :CN120433767A ,2025-08-05