一种六方氮化硼上生长氮化镓的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110300393.8

申请日：

2021-03-22

公开(公告)号：

CN113130296A

公开(公告)日：

2021-07-16

发明(设计)人：

曹冰徐立跃王钦华陈王义博李路杨帆蔡鑫李建洁陶佳豪

申请人：

申请人地址：

215137 江苏省苏州市相城区济学路8号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

代理机构：

苏州智品专利代理事务所(普通合伙) 32345

代理人：

王利斌

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-07-16	公开	公开
2021-08-03	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20210322

共 50 条

[1]

一种六方氮化硼上生长氮化镓的方法 [P].

曹冰 ;

徐立跃 ;

王钦华 ;

陈王义博 ;

李路 ;

杨帆 ;

蔡鑫 ;

李建洁 ;

陶佳豪 .

中国专利 :CN113130296B ,2024-04-12

[2]

基于六方氮化硼和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法 [P].

张进成 ;

庞凯 ;

陈智斌 ;

吕佳骐 ;

朱家铎 ;

许晟瑞 ;

林志宇 ;

宁静 ;

张金 ;

郝跃 .

中国专利 :CN105861987A ,2016-08-17

[3]

基于六方氮化硼和氮化铝在金刚石衬底上生长氮化镓的方法 [P].

宁静 ;

刘起显 ;

王东 ;

张进成 ;

贾彦青 ;

闫朝超 ;

郝跃 .

中国专利 :CN110690105B ,2020-01-14

[4]

一种基于六方氮化硼的氮化镓外延层生长与剥离方法 [P].

耿龙飞 ;

王浩林 ;

张紫璇 ;

刘政 ;

岳文凯 ;

杨波 ;

李培咸 .

中国专利 :CN115132569B ,2025-08-12

[5]

一种基于六方氮化硼的氮化镓外延层生长与剥离方法 [P].

耿龙飞 ;

王浩林 ;

张紫璇 ;

刘政 ;

岳文凯 ;

杨波 ;

李培咸 .

中国专利 :CN115132569A ,2022-09-30

[6]

六方氮化硼沉积 [P].

沈泽清 ;

S·S·罗伊 ;

A·B·玛里克 .

美国专利 :CN118077030A ,2024-05-24

[7]

六方氮化硼粉末的制造方法以及六方氮化硼粉末 [P].

池田祐一 ;

台木祥太 ;

藤波恭一 ;

绳田辉彦 ;

手岛胜弥 ;

山田哲也 .

中国专利 :CN114555518A ,2022-05-27

[8]

一种六方氮化硼薄膜生长方法及六方氮化硼薄膜 [P].

孙晓娟 ;

隋佳恩 ;

贾玉萍 ;

张山丽 ;

蒋科 ;

石芝铭 .

中国专利 :CN112086343A ,2020-12-15

[9]

一种六方氮化硼再生长的方法 [P].

梁海 .

中国专利 :CN106882771A ,2017-06-23

[10]

六方氮化硼辅助氮化镓外延的衬底结构及其制备方法 [P].

宁静 ;

武海迪 ;

张进成 ;

赵江林 ;

白玲 ;

王东 ;

马佩军 ;

郝跃 .

中国专利 :CN114635186A ,2022-06-17

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