高强度莫来石结合碳化硅多孔陶瓷材料的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110587302.3

申请日：

2021-05-27

公开(公告)号：

CN113277854A

公开(公告)日：

2021-08-20

发明(设计)人：

张景德李子禾常籽萱韩桂芳

申请人：

申请人地址：

250061 山东省济南市经十路17923号

IPC主分类号：

C04B35577

IPC分类号：

C04B35622 C04B3800

代理机构：

北京五洲洋和知识产权代理事务所(普通合伙) 11387

代理人：

张向琨

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-08-20	公开	公开
2021-09-07	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C04B 35/577 申请日:20210527

共 50 条

[1]

一种莫来石结合碳化硅复相陶瓷材料的制备方法 [P].

鲁庭志 .

中国专利 :CN108017404A ,2018-05-11

[2]

一种莫来石结合碳化硅多孔陶瓷的制备方法 [P].

董宾宾 ;

王刚 ;

袁波 .

中国专利 :CN105924225B ,2016-09-07

[3]

原位反应法制备莫来石结合的碳化硅多孔陶瓷 [P].

丁书强 ;

曾宇平 ;

江东亮 .

中国专利 :CN1769241A ,2006-05-10

[4]

原位生长莫来石晶须增强碳化硅陶瓷基复合材料的制备方法 [P].

张景德 ;

李子禾 ;

常籽萱 ;

韩桂芳 .

中国专利 :CN113292344A ,2021-08-24

[5]

一种多孔莫来石-碳化硅复合陶瓷材料及其制备方法 [P].

鄢文 ;

陈俊峰 ;

李楠 ;

韩兵强 ;

魏耀武 ;

柯昌明 .

中国专利 :CN103553583B ,2014-02-05

[6]

高强度碳化硅多孔陶瓷的制备方法 [P].

郭兴忠 ;

杨辉 ;

朱林 ;

张玲洁 ;

郑志荣 ;

高黎华 .

中国专利 :CN102503521B ,2012-06-20

[7]

一种莫来石结合氧化铝-碳化硅高温陶瓷材料及其制备方法 [P].

张命荣 .

中国专利 :CN101654359A ,2010-02-24

[8]

多孔碳化硅陶瓷材料的制备方法 [P].

何培刚 ;

苑景坤 ;

贾德昌 ;

杨治华 ;

段小明 ;

王胜金 ;

周玉 .

中国专利 :CN105541370A ,2016-05-04

[9]

一种高强度的多孔碳化硅陶瓷材料及其制备方法 [P].

商震 ;

田丽梅 ;

李子源 ;

王欢 ;

任露泉 .

中国专利 :CN114195547A ,2022-03-18

[10]

多孔碳化硅陶瓷材料及其制备方法 [P].

张景德 ;

李子禾 ;

温家强 ;

韩桂芳 .

中国专利 :CN111807842A ,2020-10-23

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