横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910712108.6

申请日：

2019-08-02

公开(公告)号：

CN110518056B

公开(公告)日：

2019-11-29

发明(设计)人：

赵景川张志丽张森

申请人：

申请人地址：

214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L2940 H01L21336 H01L2978

代理机构：

广州华进联合专利商标代理有限公司 44224

代理人：

傅康

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-01	授权	授权
2019-12-24	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20190802
2019-11-29	公开	公开

共 50 条

[1]

横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法 [P].

汪广羊 .

中国专利 :CN111180504A ,2020-05-19

[2]

横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法 [P].

韩广涛 .

中国专利 :CN104900694A ,2015-09-09

[3]

横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法 [P].

赵景川 ;

何乃龙 ;

张森 ;

张志丽 ;

王浩 .

中国专利 :CN114695510B ,2025-08-29

[4]

横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法 [P].

赵景川 ;

何乃龙 ;

张森 ;

张志丽 ;

王浩 .

中国专利 :CN114695510A ,2022-07-01

[5]

横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法 [P].

马春霞 ;

林峰 ;

许超奇 ;

孙贵鹏 .

中国专利 :CN112309865A ,2021-02-02

[6]

横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法 [P].

章舒 ;

韩广涛 ;

孙贵鹏 .

中国专利 :CN104167360A ,2014-11-26

[7]

横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法 [P].

陈柏安 .

中国专利 :CN101661955B ,2010-03-03

[8]

横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法 [P].

高桦 ;

孙贵鹏 ;

罗泽煌 .

中国专利 :CN110797406A ,2020-02-14

[9]

横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法 [P].

刘正超 .

中国专利 :CN103151386A ,2013-06-12

[10]

横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法 [P].

刘腾 ;

何乃龙 ;

张森 ;

宋华 ;

张志丽 ;

章文通 ;

文天龙 .

中国专利 :CN117438460A ,2024-01-23

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