单芯片电流传感器及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010478202.2

申请日：

2020-05-29

公开(公告)号：

CN111562418A

公开(公告)日：

2020-08-21

发明(设计)人：

李大来蒋乐跃

申请人：

申请人地址：

214000 江苏省无锡市新吴区国家高新技术产业开发区新辉环路2号

IPC主分类号：

G01R1520

IPC分类号：

G01R1900 H01L21768

代理机构：

苏州简理知识产权代理有限公司 32371

代理人：

朱亦倩

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-09-15	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G01R 15/20 申请日:20200529

共 50 条

[1]

单芯片电流传感器及其制造方法 [P].

李大来 ;

蒋乐跃 .

中国专利 :CN111562418B ,2025-11-18

[2]

单芯片电流传感器 [P].

李大来 ;

蒋乐跃 .

中国专利 :CN212932754U ,2021-04-09

[3]

单芯片电流传感器及其制造方法 [P].

蒋乐跃 ;

刘海东 ;

蔡永耀 ;

赵阳 ;

张俊德 .

中国专利 :CN103323643B ,2013-09-25

[4]

单芯片电流传感器 [P].

蒋乐跃 ;

刘海东 ;

蔡永耀 ;

赵阳 ;

张俊德 .

中国专利 :CN202548183U ,2012-11-21

[5]

单芯片电流传感器 [P].

蒋乐跃 ;

李斌 .

中国专利 :CN205280795U ,2016-06-01

[6]

单芯片电流传感器 [P].

蒋乐跃 ;

李斌 .

中国专利 :CN105510675A ,2016-04-20

[7]

电流传感器 [P].

北森宣匡 ;

清水康弘 ;

坂口仁志 .

中国专利 :CN111033276B ,2020-04-17

[8]

电流传感器芯片和电路 [P].

王帅鹏 ;

黄海潮 ;

郭经红 ;

习建国 ;

张翰勋 ;

杨滢 ;

陈嘉民 ;

李福超 .

中国专利 :CN118409131A ,2024-07-30

[9]

单芯片集成式电流传感器及制造方法 [P].

方东明 ;

季润可 ;

陶毅 ;

刘紫威 ;

王蔓蓉 ;

孙恒超 ;

闻志国 ;

李良 ;

杜君 ;

王祥 .

中国专利 :CN118362774B ,2024-09-24

[10]

单芯片集成式电流传感器及制造方法 [P].

方东明 ;

季润可 ;

陶毅 ;

刘紫威 ;

王蔓蓉 ;

孙恒超 ;

闻志国 ;

李良 ;

杜君 ;

王祥 .

中国专利 :CN118362774A ,2024-07-19

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