高压P型绝缘体上硅的金属氧化物半导体管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910024951.1

申请日：

2009-02-27

公开(公告)号：

CN101488523A

公开(公告)日：

2009-07-22

发明(设计)人：

孙伟锋贾侃吴虹钱钦松李海松陆生礼时龙兴

申请人：

申请人地址：

210096江苏省南京市四牌楼2号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

代理机构：

南京经纬专利商标代理有限公司

代理人：

陆志斌

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-09-16	实质审查的生效	实质审查的生效
2021-02-12	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20090227 授权公告日:20100901 终止日期:20200227
2009-07-22	公开	公开
2010-09-01	授权	授权

共 50 条

[1]

高压N型绝缘体上硅的金属氧化物半导体管 [P].

钱钦松 ;

高怀 ;

刘侠 ;

庄华龙 ;

孙伟锋 ;

陆生礼 ;

时龙兴 .

中国专利 :CN101488524A ,2009-07-22

[2]

绝缘体上硅的高压P型金属氧化物半导体管 [P].

易扬波 ;

李海松 ;

王钦 ;

陈文高 .

中国专利 :CN101692454A ,2010-04-07

[3]

绝缘体上硅的横向P型双扩散金属氧化物半导体管 [P].

易扬波 ;

王钦 ;

刘侠 ;

李海松 ;

陈文高 .

中国专利 :CN101702409A ,2010-05-05

[4]

P型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管 [P].

易扬波 ;

李海松 ;

王钦 ;

杨东林 ;

陶平 .

中国专利 :CN101593774B ,2009-12-02

[5]

P型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管 [P].

孙伟锋 ;

华国环 ;

钱钦松 ;

李海松 ;

陆生礼 ;

时龙兴 .

中国专利 :CN101488525A ,2009-07-22

[6]

P型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管 [P].

孙伟锋 ;

贾侃 ;

钱钦松 ;

李海松 ;

陆生礼 ;

时龙兴 .

中国专利 :CN101587909A ,2009-11-25

[7]

N型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管 [P].

易扬波 ;

李海松 ;

王钦 ;

杨东林 ;

陶平 .

中国专利 :CN101599507B ,2009-12-09

[8]

N型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管 [P].

钱钦松 ;

刘斯扬 ;

孙伟锋 ;

徐申 ;

陆生礼 ;

时龙兴 .

中国专利 :CN101587910A ,2009-11-25

[9]

N型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管 [P].

钱钦松 ;

高怀 ;

吴虹 ;

李海松 ;

孙伟锋 ;

陆生礼 ;

时龙兴 .

中国专利 :CN101488526A ,2009-07-22

[10]

高压P型金属氧化物半导体管 [P].

孙伟锋 ;

易扬波 ;

夏小娟 ;

徐申 ;

陆生礼 ;

时龙兴 .

中国专利 :CN2938408Y ,2007-08-22

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