半导体基板、半导体基板的制造方法及半导体装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200980109236.6

申请日：

2009-03-26

公开(公告)号：

CN101978503A

公开(公告)日：

2011-02-16

发明(设计)人：

杉山正和霜垣幸浩秦雅彦市川磨

申请人：

申请人地址：

日本国东京都

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L21316 H01L21336 H01L21822 H01L2704 H01L29786

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

李贵亮

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-02-16	公开	公开
2014-05-28	授权	授权
2018-04-17	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20090326 授权公告日:20140528 终止日期:20170326
2011-03-30	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101061115571 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2009801092366 申请日:20090326

共 50 条

[1]

半导体基板、半导体装置、以及半导体基板的制造方法 [P].

岩见正之 ;

古川拓也 .

中国专利 :CN103262214A ,2013-08-21

[2]

半导体基板的制造方法、半导体基板及半导体装置 [P].

大槻刚 ;

松原寿树 ;

铃木温 ;

阿部达夫 ;

佐藤三千登 .

日本专利 :CN120917541A ,2025-11-07

[3]

半导体基板的制造方法、半导体基板及半导体装置 [P].

大槻刚 ;

松原寿树 ;

铃木温 ;

阿部达夫 ;

佐藤三千登 .

日本专利 :CN120787371A ,2025-10-14

[4]

半导体基板的制造方法、半导体基板、及半导体基板的制造装置 [P].

荻原光彦 ;

桥本明弘 .

日本专利 :CN118435320A ,2024-08-02

[5]

半导体基板、半导体装置、及半导体装置的制造方法 [P].

竹中充 ;

高木信一 ;

秦雅彦 ;

市川磨 .

中国专利 :CN101960605A ,2011-01-26

[6]

半导体基板、半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

鹿内洋志 ;

佐藤宪 ;

后藤博一 ;

篠宫胜 ;

土屋庆太郎 ;

萩本和德 .

中国专利 :CN105247658A ,2016-01-13

[7]

半导体基板、半导体装置以及半导体基板的制造方法 [P].

高田朋幸 ;

山中贞则 ;

岛田雅夫 ;

秦雅彦 ;

板谷太郎 ;

石井裕之 ;

久米英司 .

中国专利 :CN103403883B ,2013-11-20

[8]

半导体装置，半导体装置的制造方法，半导体基板，和半导体基板的制造方法 [P].

秦雅彦 ;

福原升 ;

山田永 ;

高木信一 ;

杉山正和 ;

竹中充 ;

安田哲二 ;

宫田典幸 ;

板谷太郎 ;

石井裕之 ;

大竹晃浩 ;

奈良纯 .

中国专利 :CN102239549B ,2011-11-09

[9]

半导体装置、半导体装置的制造方法、半导体基板、和半导体基板的制造方法 [P].

秦雅彦 ;

福原升 ;

山田永 ;

高木信一 ;

杉山正和 ;

竹中充 ;

安田哲二 ;

宫田典幸 ;

板谷太郎 ;

石井裕之 ;

大竹晃浩 ;

奈良纯 .

中国专利 :CN103474354A ,2013-12-25

[10]

半导体装置及半导体基板 [P].

中村真嗣 ;

石田昌宏 ;

折田贤儿 ;

今藤修 ;

油利正昭 .

中国专利 :CN1553523A ,2004-12-08

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