存储单元结构、存储器阵列及其制造方法

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专利类型
发明
申请号
CN200910211848.8
申请日
2009-11-05
公开(公告)号
CN102034761B
公开(公告)日
2011-04-27
发明(设计)人
林瑄智
申请人
申请人地址
中国台湾桃园县
IPC主分类号
H01L218242
IPC分类号
H01L2978 H01L2910 H01L2906 H01L27108
代理机构
深圳新创友知识产权代理有限公司 44223
代理人
江耀纯
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
晶体管结构、存储单元、存储器阵列及其制备方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN107887388A ,2018-04-06
[2]
晶体管结构、存储单元及存储器阵列 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN207503975U ,2018-06-15
[3]
存储单元结构、存储单元阵列结构及其制造方法 [P]. 
黄猛 .
中国专利 :CN119486100A ,2025-02-18
[4]
存储单元结构及其制造方法、存储单元阵列结构 [P]. 
唐怡 .
中国专利 :CN119403121A ,2025-02-07
[5]
存储单元结构、存储单元阵列结构及其制造方法 [P]. 
李晓杰 .
中国专利 :CN119451093A ,2025-02-14
[6]
存储单元结构、存储单元阵列结构及其制造方法 [P]. 
李晓杰 .
中国专利 :CN119451093B ,2025-10-14
[7]
存储单元结构、存储单元阵列结构及其制造方法 [P]. 
黄猛 .
中国专利 :CN119486100B ,2025-10-14
[8]
存储单元结构及其制造方法、存储单元阵列结构 [P]. 
唐怡 .
中国专利 :CN119403121B ,2025-10-03
[9]
存储单元结构及存储器阵列结构、电压偏置方法 [P]. 
吕杭炳 ;
杨建国 ;
许晓欣 ;
刘明 .
中国专利 :CN111446271B ,2020-07-24
[10]
存储单元及存储器阵列 [P]. 
吕函庭 ;
赖升志 .
中国专利 :CN1862837A ,2006-11-15