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存储单元结构、存储器阵列及其制造方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN200910211848.8
申请日
:
2009-11-05
公开(公告)号
:
CN102034761B
公开(公告)日
:
2011-04-27
发明(设计)人
:
林瑄智
申请人
:
申请人地址
:
中国台湾桃园县
IPC主分类号
:
H01L218242
IPC分类号
:
H01L2978
H01L2910
H01L2906
H01L27108
代理机构
:
深圳新创友知识产权代理有限公司 44223
代理人
:
江耀纯
法律状态
:
公开
国省代码
:
引用
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2011-04-27
公开
公开
2013-12-25
授权
授权
2011-06-15
实质审查的生效
实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101079148806 IPC(主分类):H01L 21/8242 专利申请号:2009102118488 申请日:20091105
共 50 条
[1]
晶体管结构、存储单元、存储器阵列及其制备方法
[P].
不公告发明人
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
不公告发明人
.
中国专利
:CN107887388A
,2018-04-06
[2]
晶体管结构、存储单元及存储器阵列
[P].
不公告发明人
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
不公告发明人
.
中国专利
:CN207503975U
,2018-06-15
[3]
存储单元结构、存储单元阵列结构及其制造方法
[P].
黄猛
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
长鑫科技集团股份有限公司
长鑫科技集团股份有限公司
黄猛
.
中国专利
:CN119486100A
,2025-02-18
[4]
存储单元结构及其制造方法、存储单元阵列结构
[P].
唐怡
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
长鑫科技集团股份有限公司
长鑫科技集团股份有限公司
唐怡
.
中国专利
:CN119403121A
,2025-02-07
[5]
存储单元结构、存储单元阵列结构及其制造方法
[P].
李晓杰
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
长鑫科技集团股份有限公司
长鑫科技集团股份有限公司
李晓杰
.
中国专利
:CN119451093A
,2025-02-14
[6]
存储单元结构、存储单元阵列结构及其制造方法
[P].
李晓杰
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
长鑫科技集团股份有限公司
长鑫科技集团股份有限公司
李晓杰
.
中国专利
:CN119451093B
,2025-10-14
[7]
存储单元结构、存储单元阵列结构及其制造方法
[P].
黄猛
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
长鑫科技集团股份有限公司
长鑫科技集团股份有限公司
黄猛
.
中国专利
:CN119486100B
,2025-10-14
[8]
存储单元结构及其制造方法、存储单元阵列结构
[P].
唐怡
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
长鑫科技集团股份有限公司
长鑫科技集团股份有限公司
唐怡
.
中国专利
:CN119403121B
,2025-10-03
[9]
存储单元结构及存储器阵列结构、电压偏置方法
[P].
吕杭炳
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
吕杭炳
;
杨建国
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
杨建国
;
许晓欣
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
许晓欣
;
刘明
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
刘明
.
中国专利
:CN111446271B
,2020-07-24
[10]
存储单元及存储器阵列
[P].
吕函庭
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
吕函庭
;
赖升志
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
赖升志
.
中国专利
:CN1862837A
,2006-11-15
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