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一种硅碳负极材料的制备工艺

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202010393695.X
申请日：
2020-05-11
公开(公告)号：
CN111477861A
公开(公告)日：
2020-07-31
发明(设计)人：
王志强 陈晔 陈茜 卫英杰 刘长虹 单艾娴
申请人：
申请人地址：
629000 四川省遂宁市经济技术开发区玉龙路电子检测中心一层、六层
IPC主分类号：
H01M436
IPC分类号：
H01M438 H01M4583 H01M100525
代理机构：
北京市领专知识产权代理有限公司 11590
代理人：
张玲;陈益思
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2020-08-25 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01M 4/36 申请日:20200511
2020-07-31 公开 公开
共 50 条
[1]
一种硅碳负极材料的制备工艺 [P]. 
王金山 .
中国专利 :CN109659529A ,2019-04-19
[2]
硅硬碳负极材料的制备工艺 [P]. 
李建平 ;
司凤年 ;
马仲秀 ;
刘东海 .
中国专利 :CN117712341B ,2024-06-11
[3]
硅硬碳负极材料的制备工艺 [P]. 
李建平 ;
司凤年 ;
马仲秀 ;
刘东海 .
中国专利 :CN117712341A ,2024-03-15
[4]
一种硅碳负极材料的制备方法和硅碳负极材料 [P]. 
韩峰 ;
王好东 ;
杨璋军 ;
杨攀 .
中国专利 :CN120039887B ,2025-08-29
[5]
一种硅碳负极材料的制备方法和硅碳负极材料 [P]. 
韩峰 ;
王好东 ;
杨璋军 ;
杨攀 .
中国专利 :CN120039887A ,2025-05-27
[6]
硅碳负极材料及硅碳负极材料的制备方法 [P]. 
李宁 ;
余德馨 ;
傅儒生 ;
仰韻霖 .
中国专利 :CN118983419A ,2024-11-19
[7]
一种硅碳负极材料的制备方法 [P]. 
职佳涛 ;
李林桢 ;
蔡维 ;
徐妥夫 ;
陈翠翠 .
中国专利 :CN119080003A ,2024-12-06
[8]
一种硅碳负极材料的制备方法及该硅碳负极材料 [P]. 
孙利佳 ;
刘文缙 ;
陈一帆 ;
安永昕 ;
曹炬 .
中国专利 :CN107749474A ,2018-03-02
[9]
多孔碳及其制备方法、硅碳负极材料、硅碳负极材料的制备方法 [P]. 
栗广奉 ;
孔祥云 ;
郑安雄 ;
阮愉悦 .
中国专利 :CN117776183B ,2024-11-15
[10]
多孔碳及其制备方法、硅碳负极材料、硅碳负极材料的制备方法 [P]. 
栗广奉 ;
郑安雄 ;
张鹏飞 ;
阮愉悦 ;
孔祥云 .
中国专利 :CN117776183A ,2024-03-29
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