离子注入方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910201397.X

申请日：

2009-12-18

公开(公告)号：

CN101838797A

公开(公告)日：

2010-09-22

发明(设计)人：

钱锋

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区牛顿路200号7号楼1号

IPC主分类号：

C23C1448

IPC分类号：

H01L21265

代理机构：

上海智信专利代理有限公司 31002

代理人：

薛琦;朱水平

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-09-22	公开	公开
2012-07-04	授权	授权
2010-11-10	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101014691958 IPC(主分类):C23C 14/48 专利申请号:200910201397X 申请日:20091218
2016-04-27	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101731515595 IPC(主分类):C23C 14/48 专利号:ZL200910201397X 变更事项:专利权人变更前:上海凯世通半导体有限公司变更后:上海凯世通半导体股份有限公司变更事项:地址变更前:201203 上海市浦东新区张江高科技园区牛顿路200号7号楼1号变更后:201203 上海市浦东新区张江高科技园区牛顿路200号7号楼1号

共 50 条

[1]

离子注入中的增强型低能离子束传输 [P].

伯·范德伯格 ;

威廉·迪韦尔吉利奥 .

中国专利 :CN102292792B ,2011-12-21

[2]

具有增强低能离子束传送的离子注入机 [P].

瑞尔·B·李伯特 ;

哈勒德·波辛 ;

詹姆士·贝福 .

中国专利 :CN1830054A ,2006-09-06

[3]

一种金属表面离子注入强化方法 [P].

万浩 ;

王权 ;

董斌 ;

司乃潮 ;

黄礼鑫 .

中国专利 :CN106835053A ,2017-06-13

[4]

一种晶圆背面的离子注入方法 [P].

洪齐元 ;

黄海 .

中国专利 :CN103500704A ,2014-01-08

[5]

一种离子注入机的靶盘装置 [P].

康晓旭 ;

曾绍海 .

中国专利 :CN107256819B ,2017-10-17

[6]

一种离子注入机靶盘的表面通孔 [P].

宋戈 .

中国专利 :CN215418094U ,2022-01-04

[7]

铜或其合金的复合离子注入表面改性的方法 [P].

蔡珣 ;

安全长 ;

沈耀 ;

徐放 .

中国专利 :CN101070592B ,2007-11-14

[8]

一种基于真空电弧蒸发的条形带状的离子注入装置及方法 [P].

李刘合 ;

邓大琛 .

中国专利 :CN120366718A ,2025-07-25

[9]

一种基于离子注入的精准调控石墨性能的方法、改性石墨及其应用 [P].

金杰 ;

马天宝 ;

成前前 .

中国专利 :CN120698454A ,2025-09-26

[10]

离子注入方法、碲镉汞芯片的制备方法及碲镉汞芯片 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN112086363B ,2020-12-15

← 1 2 3 4 5 →