离子敏感传感器的离子敏感层结构及其制造方法

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专利类型
发明
申请号
CN201410437969.5
申请日
2014-08-29
公开(公告)号
CN104422726A
公开(公告)日
2015-03-18
发明(设计)人
克里斯蒂安·库纳特 埃伯哈德.库尔特 托尔斯滕·佩希施泰因
申请人
申请人地址
德国盖林根
IPC主分类号
G01N27414
IPC分类号
代理机构
中原信达知识产权代理有限责任公司 11219
代理人
张焕生;谢丽娜
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
在传感器区域具有多层结构的离子敏感传感器 [P]. 
亨德里克·佐恩 .
中国专利 :CN102472721A ,2012-05-23
[2]
丙酮离子敏感场效应传感器敏感膜的制备方法 [P]. 
童敏明 ;
刘涛 ;
李捷 .
中国专利 :CN101614691A ,2009-12-30
[3]
电极、离子敏感传感器、电容和离子活度的检测方法 [P]. 
许鹏 ;
张世理 ;
赵丹 .
中国专利 :CN106501340A ,2017-03-15
[4]
离子敏感场效应管传感器及其电压模式读出电路 [P]. 
刘昱 ;
王倩 ;
卫宝跃 ;
张海英 .
中国专利 :CN104677967B ,2015-06-03
[5]
离子敏感场效应管传感器及其电流模式读出电路 [P]. 
王倩 ;
刘昱 ;
卫宝跃 ;
张海英 .
中国专利 :CN104614431A ,2015-05-13
[6]
离子敏感场效应管传感器及其读出电路 [P]. 
刘昱 ;
王倩 ;
卫宝跃 ;
张海英 .
中国专利 :CN104614404B ,2015-05-13
[7]
对模糊现象不敏感的图像传感器及其制造方法 [P]. 
鲍德金斯 .
中国专利 :CN85101868A ,1987-01-24
[8]
光离子化气体传感器的微型敏感结构 [P]. 
王辉 ;
孙立凯 ;
毕佳宇 ;
徐兴烨 ;
宋尔冬 .
中国专利 :CN119804624A ,2025-04-11
[9]
水平姿态敏感芯片及其制造方法、水平姿态传感器 [P]. 
张福学 .
中国专利 :CN101349560A ,2009-01-21
[10]
离子传感器、离子传感器模块及离子传感器的制造方法 [P]. 
樱冈正幸 ;
铃木园江 ;
大沼武彦 ;
田村惠美子 .
中国专利 :CN101196528A ,2008-06-11