一类新型二维层状半导体材料及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810937272.2

申请日：

2018-08-16

公开(公告)号：

CN110835109B

公开(公告)日：

2020-02-25

发明(设计)人：

封伟赵付来张鑫王宇冯奕钰

申请人：

申请人地址：

300072 天津市南开区卫津路92号

IPC主分类号：

C01B3306

IPC分类号：

C22C1200 C22C104

代理机构：

天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙) 12214

代理人：

王秀奎

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-03-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C01B 33/06 申请日:20180816
2022-08-05	授权	授权
2020-02-25	公开	公开

共 50 条

[1]

一种新型二维层状稀土半导体材料及其制备方法和应用 [P].

于鹏 ;

邬发发 .

中国专利 :CN120097286A ,2025-06-06

[2]

二维多铁半导体材料及其制备方法 [P].

魏钟鸣 ;

杨淮 ;

李京波 .

中国专利 :CN109166963A ,2019-01-08

[3]

一种二维半导体材料的掺杂方法及掺杂二维半导体材料 [P].

包文中 .

中国专利 :CN121171888A ,2025-12-19

[4]

二维半导体模板材料及其制备方法 [P].

彭秋明 ;

张庆瑞 ;

付辉 .

中国专利 :CN103848455A ,2014-06-11

[5]

一种二维层状碳化硅半导体材料及其制备方法 [P].

孙明轩 ;

赵俊杰 ;

陈豪豪 .

中国专利 :CN118324138A ,2024-07-12

[6]

一种二维层状CuInP2S6半导体材料及其制备方法 [P].

何军 ;

王枫梅 ;

余鹏 .

中国专利 :CN112520716A ,2021-03-19

[7]

二维半导体材料的转移方法 [P].

邓香香 ;

黄春晖 ;

颜泽毅 ;

范斌斌 ;

胡城伟 ;

李晟曼 ;

吴燕庆 .

中国专利 :CN114649200B ,2024-10-22

[8]

二维半导体材料的转移方法 [P].

邓香香 ;

黄春晖 ;

颜泽毅 ;

范斌斌 ;

胡城伟 ;

李晟曼 ;

吴燕庆 .

中国专利 :CN114649200A ,2022-06-21

[9]

一种掺杂二维半导体的原位制备方法 [P].

张希威 ;

孟丹 ;

田俊龙 .

中国专利 :CN110670048A ,2020-01-10

[10]

一类新型半导体材料及其合成方法 [P].

杨君友 ;

罗裕波 ;

李旺 ;

许天 ;

马征 ;

陶阳 ;

钱勇鑫 .

中国专利 :CN115432671A ,2022-12-06

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