一种GaN基LED半导体芯片的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010563394.3

申请日：

2010-11-29

公开(公告)号：

CN102082214B

公开(公告)日：

2011-06-01

发明(设计)人：

尹以安闫其昂牛巧利章勇

申请人：

申请人地址：

510631 广东省广州市天河区中山大道西55号

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L3332

代理机构：

广州粤高专利商标代理有限公司 44102

代理人：

陈卫

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-09-26	授权	授权
2017-01-11	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101697361707 IPC(主分类):H01L 33/00 专利号:ZL2010105633943 申请日:20101129 授权公告日:20120926 终止日期:20151129
2011-07-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101088325281 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2010105633943 申请日:20101129
2011-06-01	公开	公开

共 50 条

[1]

GaN基LED芯片制备方法 [P].

陈诚 ;

齐胜利 ;

郝茂盛 .

中国专利 :CN103811602A ,2014-05-21

[2]

一种GaN半导体LED芯片制作方法 [P].

巴建锋 ;

余志炎 ;

王磊 ;

路鹏 ;

李国琪 ;

王强 ;

巩春梅 .

中国专利 :CN103426981A ,2013-12-04

[3]

一种GaN基半导体发光芯片 [P].

郑锦坚 ;

蓝家彬 ;

李晓琴 ;

张江勇 ;

陈婉君 ;

王星河 .

中国专利 :CN222051801U ,2024-11-22

[4]

一种GaN基半导体发光芯片 [P].

郑锦坚 ;

蓝家彬 ;

李晓琴 ;

张江勇 ;

陈婉君 ;

王星河 .

中国专利 :CN117613159A ,2024-02-27

[5]

GaN基半导体器件 [P].

后藤修 ;

松本治 ;

佐佐木智美 ;

池田昌夫 .

中国专利 :CN100440656C ,2005-09-28

[6]

一种GaN基半导体发光芯片 [P].

郑锦坚 ;

李水清 ;

张江勇 ;

蔡鑫 ;

蓝家彬 ;

黄军 ;

张会康 .

中国专利 :CN118053951A ,2024-05-17

[7]

一种GaN基半导体激光芯片 [P].

郑锦坚 ;

蔡鑫 ;

黄军 ;

陈婉君 ;

李水清 ;

王星河 .

中国专利 :CN221379985U ,2024-07-19

[8]

一种GaN基半导体激光芯片 [P].

郑锦坚 ;

蔡鑫 ;

黄军 ;

陈婉君 ;

李水清 ;

王星河 .

中国专利 :CN117394142A ,2024-01-12

[9]

GaN基薄膜芯片的制备方法 [P].

闫占彪 ;

赵汉民 ;

朱浩 ;

周印华 ;

熊传兵 ;

陈栋 .

中国专利 :CN102790137B ,2012-11-21

[10]

一种GaN基LED芯片的制备方法 [P].

汪炼成 ;

龙林云 ;

高祥 ;

万荣桥 .

中国专利 :CN110544736A ,2019-12-06

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