CuInS2薄膜太阳能电池吸收层的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310515757.X

申请日：

2013-10-28

公开(公告)号：

CN103531663B

公开(公告)日：

2014-01-22

发明(设计)人：

李丽波李琦王华林徐妍

申请人：

申请人地址：

150080 黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路52号

IPC主分类号：

H01L3118

IPC分类号：

H01L31032

代理机构：

哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109

代理人：

侯静

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-01-22	公开	公开
2014-02-26	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101573728899 IPC(主分类):H01L 31/18 专利申请号:201310515757X 申请日:20131028
2017-12-15	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 31/18 申请日:20131028 授权公告日:20160127 终止日期:20161028
2016-01-27	授权	授权

共 50 条

[1]

化学水浴制备太阳能电池吸收层CuInS2薄膜的方法 [P].

王伟煌 ;

陈桂林 ;

陈水源 ;

黄志高 .

中国专利 :CN106531845A ,2017-03-22

[2]

薄膜太阳能电池吸收层的制备方法 [P].

徐亚伟 .

中国专利 :CN101834221B ,2010-09-15

[3]

薄膜太阳能电池吸收层CuInSe2薄膜的制备方法 [P].

范平 ;

梁广兴 ;

郑壮豪 ;

张东平 ;

蔡兴民 .

中国专利 :CN101777604A ,2010-07-14

[4]

无机薄膜吸收层太阳能电池 [P].

叶荣华 ;

邢志青 ;

吴海涛 .

中国专利 :CN102244115A ,2011-11-16

[5]

太阳能电池吸收层的制备方法 [P].

尹锡炫 .

中国专利 :CN100590891C ,2008-07-23

[6]

太阳能电池吸收层的制备方法和太阳能电池的制备方法 [P].

叶亚宽 ;

赵树利 ;

郭逦达 ;

杨立红 .

中国专利 :CN108389918A ,2018-08-10

[7]

太阳能电池吸收层的制备方法和太阳能电池的制备方法 [P].

叶亚宽 ;

赵树利 ;

郭逦达 ;

杨立红 .

中国专利 :CN108305906A ,2018-07-20

[8]

CZTSSe薄膜太阳能电池吸收层改性方法 [P].

周正基 ;

张鑫 ;

武四新 .

中国专利 :CN113410340B ,2021-09-17

[9]

太阳能电池吸收层薄膜结构 [P].

谢祥渊 ;

周德才 .

中国专利 :CN202917501U ,2013-05-01

[10]

铜铟镓硒太阳能电池吸收层的制备方法及太阳能电池 [P].

李梦洁 .

中国专利 :CN110379872A ,2019-10-25

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