存储器内的字线电压控制

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201110438881.1
申请日
2011-12-20
公开(公告)号
CN102646442A
公开(公告)日
2012-08-22
发明(设计)人
张耀强 陈信宇
申请人
申请人地址
英国剑桥
IPC主分类号
G11C712
IPC分类号
代理机构
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258
代理人
宋鹤
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
带有字线电压控制的存储器 [P]. 
马丁·布罗克斯 .
中国专利 :CN1220465A ,1999-06-23
[2]
字线电压产生电路以及存储器 [P]. 
李山 .
中国专利 :CN104616691B ,2015-05-13
[3]
存储器及其字线电压产生电路 [P]. 
杨光军 .
中国专利 :CN102867535B ,2013-01-09
[4]
字线电压产生电路及存储器 [P]. 
马继荣 .
中国专利 :CN114429779A ,2022-05-03
[5]
字线电压产生电路及存储器 [P]. 
马继荣 .
中国专利 :CN114429779B ,2025-08-01
[6]
控制字线电压以减小存储器设备中的读取干扰 [P]. 
A·N·扎努丁 ;
H·钦 ;
袁家辉 .
中国专利 :CN114730606A ,2022-07-08
[7]
存储器及其操作方法、存储器系统、字线电压控制电路 [P]. 
王瑜 ;
宋大植 .
中国专利 :CN120418869A ,2025-08-01
[8]
控制字线电压以减小存储器设备中的读取干扰 [P]. 
A·N·扎努丁 ;
H·钦 ;
袁家辉 .
美国专利 :CN114730606B ,2025-10-31
[9]
非易失性存储器和根据被选字线控制虚设字线电压的方法 [P]. 
朱相炫 ;
崔奇焕 ;
金武星 .
中国专利 :CN102810332A ,2012-12-05
[10]
STT-MRAM中的字线电压控制 [P]. 
杨赛森 ;
迈赫迪·哈米迪·萨尼 ;
升·H·康 .
中国专利 :CN102203870A ,2011-09-28