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一种双磁场结构的扬声器
被引：0
专利类型：
实用新型
申请号：
CN201921310029.4
申请日：
2019-08-12
公开(公告)号：
CN210725307U
公开(公告)日：
2020-06-09
发明(设计)人：
陈新得
申请人：
申请人地址：
435400 湖北省武穴市花桥镇林角塘村西边坝垸五组55号
IPC主分类号：
H04R902
IPC分类号：
H04R906
代理机构：
深圳市卓科知识产权代理有限公司 44534
代理人：
赵辉丽;潘晓
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2020-06-09 | 授权 | 授权 |