侧墙结构的制造方法、侧墙结构及半导体器件

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201910742964.6
申请日
2019-08-13
公开(公告)号
CN110504163A
公开(公告)日
2019-11-26
发明(设计)人
曹欣雨 曹坚 张亮
申请人
申请人地址
201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室
IPC主分类号
H01L2128
IPC分类号
H01L21336
代理机构
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人
郭四华
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
存储单元侧墙的制造方法 [P]. 
佟宇鑫 ;
顾林 ;
王辉 ;
段松汉 .
中国专利 :CN120015622A ,2025-05-16
[2]
侧墙结构及其形成方法、半导体器件 [P]. 
张博 ;
顾文斌 .
中国专利 :CN120417461A ,2025-08-01
[3]
存储单元的侧墙结构及其制造方法 [P]. 
王会一 ;
周海洋 ;
程国庆 ;
沈权豪 .
中国专利 :CN119447023A ,2025-02-14
[4]
存储单元的侧墙结构及其制造方法 [P]. 
王会一 ;
周海洋 ;
程国庆 ;
沈权豪 .
中国专利 :CN119447023B ,2025-10-31
[5]
半导体器件的侧墙形成方法 [P]. 
韦庆松 ;
于书坤 .
中国专利 :CN103515321B ,2014-01-15
[6]
侧墙、形成侧墙、半导体器件的方法 [P]. 
李乐 .
中国专利 :CN102637604A ,2012-08-15
[7]
制造半导体器件栅极侧墙的方法 [P]. 
黄敬勇 ;
沈满华 .
中国专利 :CN102299062B ,2011-12-28
[8]
半导体器件中侧墙的制造方法 [P]. 
荆泉 ;
许进 ;
任昱 ;
吕煜坤 ;
张旭升 .
中国专利 :CN103280408A ,2013-09-04
[9]
侧墙结构、侧墙结构的制备方法、CMOS器件 [P]. 
黄然 ;
周飞 ;
徐炯 .
中国专利 :CN103972293B ,2014-08-06
[10]
半导体器件隔离侧墙制造方法 [P]. 
任佳 ;
韩朋刚 ;
孙文彦 ;
康天晨 .
中国专利 :CN109686665A ,2019-04-26