二极管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010226329.1

申请日：

2010-07-08

公开(公告)号：

CN102122693B

公开(公告)日：

2011-07-13

发明(设计)人：

安东尼·J·罗特费尔德

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

H01L3118

IPC分类号：

H01L3324

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司 72003

代理人：

姜燕;陈晨

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-01-07	授权	授权
2011-07-13	公开	公开
2011-08-24	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101100310831 IPC(主分类):H01L 33/20 专利申请号:2010102263291 申请日:20100708

共 50 条

[1]

激光二极管 [P].

克里斯托夫·艾克勒 ;

马蒂亚斯·彼得 ;

扬·瓦格纳 .

中国专利 :CN111108658B ,2020-05-05

[2]

发光二极管结构 [P].

郭立信 .

中国专利 :CN1230923C ,2004-02-11

[3]

半导体发光二极管 [P].

中津弘志 ;

山本修 .

中国专利 :CN1155118C ,2000-03-01

[4]

发光二极管和发光二极管灯 [P].

濑尾则善 ;

松村笃 .

中国专利 :CN103155181B ,2013-06-12

[5]

发光二极管和发光二极管灯 [P].

竹内良一 ;

锅仓亘 .

中国专利 :CN102308397A ,2012-01-04

[6]

发光二极管元件、覆晶式发光二极管封装结构与光反射结构 [P].

许进恭 ;

许世昌 .

中国专利 :CN1649178A ,2005-08-03

[7]

发光二极管 [P].

海野恒弘 .

中国专利 :CN101295760A ,2008-10-29

[8]

发光二极管 [P].

青柳秀和 ;

荒木田孝博 ;

河崎孝彦 ;

伊藤胜利 ;

中岛真 .

中国专利 :CN107210338A ,2017-09-26

[9]

发光二极管 [P].

吴志凌 .

中国专利 :CN102487115B ,2012-06-06

[10]

发光二极管 [P].

粟饭原范行 .

中国专利 :CN203055975U ,2013-07-10

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