肖特基二极管及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810810551.2

申请日：

2018-07-23

公开(公告)号：

CN109004018A

公开(公告)日：

2018-12-14

发明(设计)人：

冉军学魏同波王军喜

申请人：

申请人地址：

100083 北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L21336 H01L29872

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

汤宝平

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-01-08	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20180723
2018-12-14	公开	公开
2021-04-27	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 29/06 申请公布日:20181214

共 50 条

[1]

肖特基二极管及其制备方法、半导体功率器件 [P].

冉军学 ;

魏同波 ;

闫建昌 ;

王军喜 .

中国专利 :CN110071177A ,2019-07-30

[2]

碳化硅肖特基二极管及其制备方法 [P].

郎金荣 ;

刘奇斌 ;

程小强 .

中国专利 :CN111987139A ,2020-11-24

[3]

肖特基二极管及其制备方法 [P].

孙海定 ;

张佳豪 .

中国专利 :CN117457725A ,2024-01-26

[4]

SiC肖特基二极管的制备方法及其结构 [P].

贾仁需 ;

邵锦文 ;

侯同晓 ;

元磊 ;

汤晓燕 .

中国专利 :CN108321212A ,2018-07-24

[5]

肖特基二极管及其制备方法 [P].

黄慧玲 ;

沈宝馨 .

中国专利 :CN121194475A ,2025-12-23

[6]

一种肖特基二极管及制备方法 [P].

郑军 ;

成步文 .

中国专利 :CN111540788A ,2020-08-14

[7]

肖特基二极管及其制备方法 [P].

林裕承 ;

姜兑咏 ;

庆信秀 .

中国专利 :CN113853685A ,2021-12-28

[8]

肖特基二极管及其制备方法 [P].

赵自然 ;

胡海帆 ;

马旭明 ;

肖雄 .

中国专利 :CN111864004B ,2020-10-30

[9]

肖特基二极管及其制备方法 [P].

林裕承 ;

姜兑咏 ;

庆信秀 .

韩国专利 :CN113853685B ,2025-06-03

[10]

肖特基二极管及其制备方法 [P].

胡春华 ;

刘长洪 ;

范守善 .

中国专利 :CN102903849B ,2013-01-30

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