一种FinFET结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410459149.6

申请日：

2014-09-10

公开(公告)号：

CN105405884B

公开(公告)日：

2016-03-16

发明(设计)人：

刘云飞尹海洲李睿

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L21336

代理机构：

北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370

代理人：

朱海波

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-03-16	公开	公开
2019-01-22	授权	授权
2016-04-13	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101655086455 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2014104591496 申请日:20140910

共 50 条

[1]

一种FinFET结构及其制造方法 [P].

尹海洲 ;

刘云飞 ;

李睿 .

中国专利 :CN105470253A ,2016-04-06

[2]

一种FinFET结构及其制造方法 [P].

李睿 ;

刘云飞 ;

尹海洲 .

中国专利 :CN105470301B ,2016-04-06

[3]

一种FinFET结构及其制造方法 [P].

刘云飞 ;

尹海洲 ;

李睿 .

中国专利 :CN105470299A ,2016-04-06

[4]

一种FinFET结构及其制造方法 [P].

尹海洲 ;

刘云飞 ;

李睿 .

中国专利 :CN105405886B ,2016-03-16

[5]

一种FinFET结构及其制造方法 [P].

刘云飞 ;

尹海洲 ;

李睿 .

中国专利 :CN105470300A ,2016-04-06

[6]

一种FinFET结构及其制造方法 [P].

尹海洲 ;

刘云飞 .

中国专利 :CN104576385A ,2015-04-29

[7]

一种FinFET器件结构及其制造方法 [P].

尹海洲 ;

刘云飞 ;

李睿 .

中国专利 :CN105470298A ,2016-04-06

[8]

一种非对称FinFET结构及其制造方法 [P].

尹海洲 ;

张珂珂 .

中国专利 :CN104576382B ,2015-04-29

[9]

一种U型FinFET或非门结构及其制造方法 [P].

尹海洲 ;

刘云飞 ;

李睿 .

中国专利 :CN105470254A ,2016-04-06

[10]

一种U型FinFET与非门结构及其制造方法 [P].

刘云飞 ;

尹海洲 ;

李睿 .

中国专利 :CN105405841A ,2016-03-16

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