形成具有高迁移率的金属/高K值栅叠层的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510078164.7

申请日：

2005-06-17

公开(公告)号：

CN100416859C

公开(公告)日：

2006-01-18

发明(设计)人：

万达·安德雷奥尼阿莱桑德罗·C·卡莱加利埃杜瓦德·A·卡蒂尔阿莱桑德罗·库利奥尼克里斯多弗·P·德米埃夫格尼·古塞夫迈克尔·A·格里贝尤克保罗·C·杰米森拉加拉奥·加米迪亚尼·L·莱塞芬顿·R·迈克费里维加伊·纳拉亚南加罗·A·皮格尼多里小约瑟夫·F·西帕德苏菲·扎法尔

申请人：

申请人地址：

美国纽约

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2128 H01L21336 H01L218234

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

秦晨

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

引用

下载

共 50 条

[1]

一种高迁移率的半导体MOSFET结构 [P].

许一力 .

中国专利 :CN118645480A ,2024-09-13

[2]

具有δ掺杂层的高迁移率基板及高迁移率基板的制造方法 [P].

大槻刚 ;

松原寿树 ;

藤井康太 ;

阿部达夫 ;

铃木温 .

日本专利 :CN121128338A ,2025-12-12

[3]

用于高迁移率平面和多栅极MOSFET的混合衬底技术 [P].

B·B·多里斯 ;

M·艾昂 ;

E·J·诺瓦克 ;

杨敏 .

中国专利 :CN101310386B ,2008-11-19

[4]

具有抗穿通层的高迁移率器件及其形成方法 [P].

江国诚 ;

冯家馨 ;

吴志强 .

中国专利 :CN106033757B ,2016-10-19

[5]

具有按比例缩小的栅叠层厚度的金属栅极MOSFET器件及其方法 [P].

阿姆兰·玛尤姆达 ;

雷尼·T·莫 ;

任志斌 ;

J·斯赖特 .

中国专利 :CN101425538A ,2009-05-06

[6]

一种高迁移率金属氧化物TFT的制作方法 [P].

李金明 .

中国专利 :CN106206745B ,2016-12-07

[7]

基于键合的单片异质集成Cascode氮化镓高迁移率晶体管及制作方法 [P].

张春福 ;

张家祺 ;

武毅畅 ;

陈大正 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN110610936B ,2019-12-24

[8]

高迁移率三栅器件及其制造方法 [P].

M·A·沙赫恩 ;

B·多伊尔 ;

S·达塔 ;

R·S·乔 ;

P·托尔钦斯基 .

中国专利 :CN1977387B ,2007-06-06

[9]

具有高K栅介质层和金属栅电极的金属氧化物半导体场效应晶体管 [P].

许一力 ;

李鑫 ;

杨琦 .

中国专利 :CN120583707A ,2025-09-02

[10]

具有高K栅介质层和金属栅电极的金属氧化物半导体场效应晶体管 [P].

许一力 ;

李鑫 ;

杨琦 .

中国专利 :CN120583707B ,2025-10-14

← 1 2 3 4 5 →

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-12-22	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 29/78 登记生效日:20171201 变更事项:专利权人变更前权利人:国际商业机器公司变更后权利人:格芯美国第二有限责任公司变更事项:地址变更前权利人:美国纽约变更后权利人:美国纽约
2006-01-18	公开	公开
2017-12-22	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 29/78 登记生效日:20171201 变更事项:专利权人变更前权利人:格芯美国第二有限责任公司变更后权利人:格芯公司变更事项:地址变更前权利人:美国纽约变更后权利人:开曼群岛大开曼岛
2006-03-08	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-09-03	授权	授权