一种铜铟镓硒半导体薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810154678.X

申请日：

2008-12-30

公开(公告)号：

CN101771099B

公开(公告)日：

2010-07-07

发明(设计)人：

赵彦民方小红王庆华冯金晖

申请人：

申请人地址：

300381 天津市南开区李七庄凌庄子道18号

IPC主分类号：

H01L3118

IPC分类号：

代理机构：

天津市鼎和专利商标代理有限公司 12101

代理人：

李凤

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-12-14	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 31/18 申请日:20081230 授权公告日:20110817 终止日期:20171230
2010-07-07	公开	公开
2011-08-17	授权	授权
2010-09-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101005582795 IPC(主分类):H01L 31/18 专利申请号:200810154678X 申请日:20081230

共 50 条

[1]

铜铟镓的硒或硫化物半导体薄膜材料的制备方法 [P].

孙云 ;

李长健 ;

刘唯一 ;

何清 ;

李凤岩 ;

周志强 ;

敖建平 ;

孙国忠 .

中国专利 :CN1257560C ,2004-11-17

[2]

一种制备铜铟镓硒薄膜的方法 [P].

王天兴 ;

杨海刚 ;

宋桂林 ;

夏存军 ;

李超 ;

李苗苗 ;

常方高 .

中国专利 :CN101985734A ,2011-03-16

[3]

一种铜铟镓硒薄膜制备方法及铜铟镓硒薄膜 [P].

王文庆 .

中国专利 :CN106229362A ,2016-12-14

[4]

一种脉冲电沉积铜铟镓硒半导体薄膜材料的方法 [P].

赖延清 ;

刘芳洋 ;

吕莹 ;

张治安 ;

李劼 ;

刘业翔 .

中国专利 :CN101079454A ,2007-11-28

[5]

铜铟镓硒薄膜制备方法 [P].

杨春雷 ;

于冰 ;

程冠铭 ;

冯叶 ;

肖旭东 ;

顾光一 ;

鲍浪 ;

郭延璐 ;

徐苗苗 .

中国专利 :CN103343323A ,2013-10-09

[6]

铜铟镓硒薄膜的制备方法 [P].

熊治雨 ;

肖旭东 ;

杨春雷 .

中国专利 :CN103710668A ,2014-04-09

[7]

铜铟镓硒薄膜电池制备方法 [P].

郭佳利 ;

张理 .

中国专利 :CN117334785A ,2024-01-02

[8]

一种铜铟镓硒四元半导体合金的制备方法 [P].

崔勇 ;

熊良银 ;

葛鹏 ;

李明群 ;

王雪松 ;

刘实 .

中国专利 :CN103572089A ,2014-02-12

[9]

一种铜铟镓硒薄膜的制备方法 [P].

徐东 ;

徐永清 ;

叶帅 .

中国专利 :CN103280486A ,2013-09-04

[10]

一种铜铟镓硒薄膜的制备方法 [P].

王文庆 .

中国专利 :CN106449816A ,2017-02-22

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